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              濰坊肖特基二極管原理多重優惠「強元芯電子」

              發布時間:2021-08-18 18:46  

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              編輯:DD


              由于SBD的反向勢壘較薄,并且在其表面極易發生擊穿,所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結二極管更容易受熱擊穿,反向漏電流比PN結二極管。

              SBD的結構及特點使其適合于在低壓、DA電流輸出場合用作高頻整流,在非常高的頻率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于檢波和混頻,在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD,像SBD?TTL集成電路早已成為TTL電路的主流,在高速計算機中被廣泛采用。

              關于肖特基二極管的應用,ASEMI總結出以下幾點:

              肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管,簡稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode),具有正向壓降低(0.4—1.0V)、反向恢復時間很短(0-10納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低于150V,多用于低電壓場合。

              肖特基二極管

                    優點:

                            1.   正向壓降小 :              通常0.4V左右

                            2.   反向恢復時間極短:        可達5納秒

                            3.  大的正向電流:                1A---300A之間

                   缺點:

                           1.反向工作電壓VR低:          通常200V以下

                           2.漏電流稍大些       :            僅有10mA

                  例1:B82-400

                         1.反向工作電壓VRRM:40V

                         2.正向壓降VF:0.55V(IF=2.0A)

                         3.漏電流IR=5mA(VRRM=40V)

                        4.整流電流IF=5A

                        5.浪涌電流IFSM=100A(T=10ms)

              例2:1N5817,1N5818,1N5819

                        1.反向工作電壓VRRM(1N5817,1N5818,1N5819 ):20V,30V,40V

                         2.正向壓降VF:0.6V(IF=1.0A)

                         3.漏電流IR=0.1mA(VRRM=40V)

                        4.整流電流IF=1A

                        5.浪涌電流IFSM=25A(T=10ms)


              關于    ASEMI肖特基二極管 的封裝

                通過型號識別封裝外形:

                MBR10100:TO-220AC,單芯片,兩引腳,

                MBR10100CT:TO-220AB,雙芯片,三引腳,型號后綴帶CT

                MBRB10100CT:TO-263(D2PAK)、貼片。

                型號前面四個字母B,代表TO-263,國際通用命名。雙芯片,三引腳,型號后綴帶CT

                MBRD1045CT:TO-252(DPAK)、貼片。

                MBRD與MBRB都是貼片,D:TO-252,B:TO-263.

                MBR3045PT:TO-3P,型號后綴"PT"代表TO-3P封裝,

                原MOTOROLA現叫做SOT-93

                SD1045:D表示TO-251