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濺射鍍膜機(jī)濺射鍍技術(shù)優(yōu)點(diǎn)

濺射鍍膜機(jī)濺射鍍技術(shù)應(yīng)用  蒸發(fā)和磁控濺射兩用立式裝飾鍍膜機(jī)，主要適用于塑料、陶瓷、玻璃金屬材料表面鍍制金屬化裝飾膜。由于鍍膜室為立式容器，所以它具有臥式鍍膜機(jī)的一切優(yōu)點(diǎn)，   又利于自重較大的、易碎的鍍件裝卡，更可方便地實(shí)現(xiàn)自動(dòng)生產(chǎn)線，是替代傳統(tǒng)濕法水電鍍的更為理想的新一代真空鍍膜設(shè)備。（c）離子輔助沉積：先沉積一層很薄的金屬或非金屬層，然后再引入反應(yīng)氣體離子源，將膜層進(jìn)行氧化或者氮化等。本機(jī)鍍部分產(chǎn)品可不做底油。本機(jī)主 要特點(diǎn)配用改進(jìn)型高真空排氣系統(tǒng)，抽速快、、節(jié)電、降噪和延長(zhǎng)泵使用壽命;實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)、磁控濺射、自動(dòng)控制，操作簡(jiǎn)單，工作可靠。

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直流濺射法

濺射過(guò)程中涉及到復(fù)雜的散射過(guò)程和多種能量傳遞過(guò)程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞，入射粒子的一部分動(dòng)能會(huì)傳給靶材原子；目前沒(méi)有見(jiàn)到對(duì)磁控濺射靶材利用率專門或系統(tǒng)研究的報(bào)道，而從理論上對(duì)磁控濺射靶材利用率近似計(jì)算的探討具有實(shí)際意義。某些靶材原子的動(dòng)能超過(guò)由其周圍存在的其它原子所形成的勢(shì)壘（對(duì)于金屬是5-10 eV），從而從晶格點(diǎn)陣中被碰撞出來(lái)，產(chǎn)生離位原子；這些離位原子進(jìn)一步和附近的原子依次反復(fù)碰撞，產(chǎn)生碰撞級(jí)聯(lián)；當(dāng)這種碰撞級(jí)聯(lián)到達(dá)靶材表面時(shí)，如果靠近靶材表面的原子的動(dòng)能大于表面結(jié)合能（對(duì)于金屬是1-6eV），這些原子就會(huì)從靶材表面脫離從而進(jìn)入真空。

濺射鍍膜

由于被濺射原子是與具有數(shù)十電子伏特能量的正離子交換動(dòng)能后飛濺出來(lái)的，因而濺射出來(lái)的原子能量高，有利于提高沉積時(shí)原子的擴(kuò)散能力，提高沉積組織的致密程度，使制出的薄膜與基片具有強(qiáng)的附著力。濺射時(shí)，氣體被電離之后，氣體離子在電場(chǎng)作用下飛向接陰極的靶材，電子則飛向接地的壁腔和基片。但有一共同點(diǎn)：利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行，從而增大電子撞擊Ar產(chǎn)生離子的概率。這樣在低電壓和低氣壓下，產(chǎn)生的離子數(shù)目少，靶材濺射效率低；而在高電壓和高氣壓下，盡管可以產(chǎn)生較多的離子，但飛向基片的電子攜帶的能量高，容易使基片發(fā)熱甚至發(fā)生二次濺射，影響制膜質(zhì)量。另外，靶材原子在飛向基片的過(guò)程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加，因而被散射到整個(gè)腔體，既會(huì)造成靶材浪費(fèi)，又會(huì)在制備多層膜時(shí)造成各層的污染。