氮化硅長期回收值得信賴

氮化硅磚采用硅粉氮化后燒結或熱壓方法制取

制取方法

氮化硅磚采用硅粉氮化后燒結或熱壓方法制取。燒制氮化硅磚的生產工藝與鎂質磚大體相仿。為了消除磚在燒成過程中由于MgO和Cr2O3、Al2O3或直接結合氮化硅磚。

優點

氮化硅磚耐火度高，高溫強度大，抗堿性渣侵蝕性強，熱穩定性優良，對酸性渣也有一定的適應性。

應用

用于航空、冶金、機械、半導體等工業中制造高溫軸承、冶金坩堝、半導體區域熔煉舟器等。

Si3N4的使用溫度一般不超過1300°C

氮化硅的很多性能都歸結于此結構。純Si3N4為3119，有α和β兩種晶體結構，均為六角晶形，其分解溫度在空氣中為1800℃，在110MPa氮中為1850℃。優點氮化硅磚耐火度高，高溫強度大，抗堿性渣侵蝕性強，熱穩定性優良，對酸性渣也有一定的適應性。Si3N4 熱膨脹系數低、導熱率高。熱壓燒結的氮化硅加熱到l000℃后投入冷水中也不會。在不太高的溫度下，Si3N4 具有較高的強度和抗沖擊性，但在1200℃以上會隨使用時間的增長而出現破損，使其強度降低，在1450℃以上更易出現疲勞損壞，所以Si3N4 的使用溫度一般不超過1300℃。

Si3N4陶瓷材料作為一種優異的高溫工程材料

Si3N4 陶瓷材料作為一種優異的高溫工程材料，能發揮優勢的是其在高溫領域中的應用。Si3N4 今后的發展方向是：⑴充分發揮和利用Si3N4 本身所具有的優異特性；⑵在Si3N4 粉末燒結時，開發一些新的助熔劑，研究和控制現有助熔劑的成分；⑶改善制粉、成型和燒結工藝； ⑷研制Si3N4 與SiC等材料的復合化，以便制取更多的復合材料。S 它是用硅粉作原料，先用通常成型的方法做成所需的形狀，在氮氣中及1200℃的高溫下進行初步氮化，使其中一部分硅粉與氮反應生成氮化硅，這時整個坯體已經具有一定的強度。然后在1350℃～1450℃的高溫爐中進行二次氮化，反應成氮化硅。氮化硅結合碳化硅磚是以高純SiC為骨料，添加硅粉等外加劑，依據原位生成理論，在氮化爐中燒制而成。用熱壓燒結法可制得達到理論密度99%的氮化硅。