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然后將這些物質加熱到硅的熔點——攝氏1420度之上。一旦多晶硅和摻雜劑混合物熔解，便將單晶硅種子放在熔解物的上面，只接觸表面。種子與要求的成品硅錠有相同的晶向。為了使摻雜均勻，子晶和用來熔化硅的坩堝要以相反的方向旋轉。

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進入超凈間前，工人必須進入吸塵室內以吹走可能積聚的任何顆粒。硅晶片大多數生產型晶圓片都要經過兩三次的拋光,拋光料是細漿或者拋光化合物。多數情況下，晶圓片僅僅是正面拋光，而300毫米的晶圓片需要雙面拋光。

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來自斯坦福的研究團隊在舊金山舉行的一次科技會議上展示了這個電路。他們展示的技術進步是迄今證明當硅芯片尺寸達到物理極限時，碳納米管可能會成為一種未來的替代材料。

在計算機芯片行業中，被用于蝕刻電路的硅芯片已經變得比光的波長還要細小，而且工程師和科學家們相信，硅芯片的尺寸還有繼續縮小的空間，至少目前的情況是這樣的。即使2014年的支出已呈大幅度增長態勢，前道fab廠的支出仍需在2014年增長至少49%，才能使得設備支出回到2007年的水平。但是，硅材料的物理尺寸極限終有一天會到來，從而終結由摩爾定律所定義的微電子時代。摩爾定律是由英特爾創始人之一戈登·摩爾(GordonMoore)于1965年提出來的，它指出：當價格不變時，集成電路上可容納的晶體管數量大約每隔18個月便會翻一番，性能也將提升一倍。