無機光刻膠公司產品介紹 北京賽米萊德

光刻膠的概述　　

光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會發生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉移到晶圓片上。

光刻膠有正膠和負膠之分。正膠經過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經過顯影后被溶解，只留下未受光照的部分形成圖形；而負膠卻恰恰相反，經過曝光后，受到光照的部分會變得不易溶解，經過顯影后，留下光照部分形成圖形。

負膠在光刻工藝上應用早，其工藝成本低、產量高，但由于它吸收顯影液后會膨脹，導致其分辨率（即光刻工藝中所能形成圖形）不如正膠，因此對于亞微米甚至更小尺寸的加工技術，主要使用正膠作為光刻膠。

光刻膠相關信息

賽米萊德——專業光刻膠供應商，我們為您帶來以下信息。

光刻膠是印刷線路板、顯示面板、集成電路等電子元器件的上游。光刻膠產業鏈覆蓋范圍非常廣，上游為基礎化工材料行業、精細化學品行業，中游為光刻膠制備，下游為電子加工廠商、各電子器產品應用終端。由于上游產品直接影響下游企業的產品質量，下業企業對公司產品的質量和供貨能力十分重視，常采用認證采購的模式，進入壁壘較高。

在下游半導體、LCD、PCB等行業需求持續擴大的拉動下，光刻膠市場將持續擴大。2018年全球光刻膠市場規模為85億美元，2014-2018年復合增速約5%。據IHS，未來光刻膠復合增速有望維持5%。按照下游應用來看，目前半導體光刻膠占比24.1%，LCD 光刻膠占比26.6%，PCB 光刻膠占比24.5%，其他類光刻膠占比24.8%。

光刻膠的作用有什么？

光刻是將圖形由掩膜版上轉移到硅片上，為后續的刻蝕步驟作準備。在光刻過程中，需在硅片上涂一層光刻膠，經紫外線曝光后，光刻膠的化學性質發生變化，在通過顯影后，被曝光的光刻膠將被去除，從而實現將電路圖形由掩膜版轉移到光刻膠上。再經過刻蝕過程，實現電路圖形由光刻膠轉移到硅片上。在刻蝕過程中，光刻膠起防腐蝕的保護作用。

光刻膠的組成

光刻膠一般由4種成分組成:樹脂型聚合物、光活性物質、溶劑和添加劑。樹脂是光刻膠中占比較大的組分，構成光刻膠的基本骨架，主要決定曝光后光刻膠的基本性能，包括硬度、柔韌性、附著力、耐腐蝕性、熱穩定性等。光活性物質是光刻膠的關鍵組分，對光刻膠的感光度、分辨率等其決定性作用。

以下內容由賽米萊德為您提供，希望對同行業的朋友有所幫助。