磁控濺射鍍膜設備公司價格合理「沈陽鵬程」

光纖磁控濺射鍍膜機組成

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設備用途：

在光纖表面鍍制納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備。配有陽極層離子源進行清洗和輔助沉積，同時設備具有反濺射清洗功能，以提高膜的質量和牢固度。樣品臺可鍍制多種型號光纖產品

系統主要由真空室、磁控靶、單基片加熱臺、直流電源、射頻電源、工作氣路、抽氣系統、真空測量、電控系統及安裝機臺等部分組成。

磁控濺射介紹

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由于被濺射原子是與具有數十電子伏特能量的正離子交換動能后飛濺出來的，因而濺射出來的原子能量高，有利于提高沉積時原子的擴散能力，提高沉積組織的致密程度，使制出的薄膜與基片具有強的附著力。

濺射時，氣體被電離之后，氣體離子在電場作用下飛向接陰極的靶材，電子則飛向接地的壁腔和基片。這樣在低電壓和低氣壓下，產生的離子數目少，靶材濺射效率低；而在高電壓和高氣壓下，盡管可以產生較多的離子，但飛向基片的電子攜帶的能量高，容易使基片發熱甚至發生二次濺射，影響制膜質量。另外，靶材原子在飛向基片的過程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加，因而被散射到整個腔體，既會造成靶材浪費，又會在制備多層膜時造成各層的污染。抽氣機組及閥門、管道1套，包含1臺進口復合分子泵及變頻控制電源（680L/s，德國普發Hipace700分子泵）。

磁控濺射鍍膜機導致不均勻因素哪些？

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原理上講，兩點：氣場和磁場

磁控濺射在0.4Pa的氣壓情況下離子撞擊靶材，濺射出粒子沉積到基材上，整體靶材的電壓幾乎一致，不影響濺射速率。

0.4Pa的氣場情況是濺射速率較高的情況，氣場變化，壓強變大和變小都會影響濺射速率。

磁場大，束縛的自由電子增多，濺射速率增大，磁場小，束縛的自由電子就少，濺射速率降低。

穩定住氣場和磁場，濺射速率也將隨之穩定。

在實際情況下，氣場穩定，需要設計布氣系統，將布氣系統分級布置，保障鍍膜機腔體內不同位置的進氣量相同，同時，布氣系統、靶材、基材等要遠離鍍膜機的抽氣口。需要穩定磁場，用高斯計測量靶材表面磁場強度，由于磁場線本身是閉合曲線，靶材磁場回路兩端磁場強度自然比中間位置強，可以選擇用弱磁鐵，同時，基材要避開無法調整的磁場變化較大的部分。在光學領域中用途巨大，比如說光學薄膜(如增透膜)、低輻射玻璃和透明導電玻璃等方面得到應用。

另外，在設備結構設計方面，磁控濺射過程中，需要基材與靶材保持同軸，如果旋轉、直線運行的話，也要同軸旋轉、直線運行。