物化水處理設(shè)備價(jià)格信息推薦「濟(jì)南騰達(dá)換熱設(shè)備」

1、不改變水的化學(xué)性質(zhì)，對(duì)人體。2、除垢效果明顯。該設(shè)備安裝在水循環(huán)系統(tǒng)，對(duì)原有垢厚在2mm以下的，一般情況下30天左右可逐漸使其松動(dòng)脫落，處理后的水垢呈顆粒狀，可隨排污管路排出，不會(huì)堵塞管路系統(tǒng)，。舊垢脫落以后，在一定范圍內(nèi)不再產(chǎn)生新垢。3、設(shè)備體積小，安裝簡(jiǎn)單方便，可長(zhǎng)期無(wú)人值守使用。4、水流經(jīng)該設(shè)備以后，可使水變成磁化水，而且對(duì)于水中細(xì)菌有一定的抑制和殺滅作用。5、不腐蝕設(shè)備，可延長(zhǎng)伺服設(shè)備的使用壽命。




電子水處理在晶體管、集成電路生產(chǎn)中，純水主要用于清洗硅片，另有少量用于藥液配制，硅片氧化的水汽源，部分設(shè)備的冷卻水，配制電鍍液等。集成電路生產(chǎn)過(guò)程中的80%的工序需要使用高純水清洗硅片，水質(zhì)的好壞與集成電路的產(chǎn)品質(zhì)量及生產(chǎn)成品率關(guān)系很大。水中的堿金屬(K、Na等)會(huì)使絕緣膜耐壓不良，重金屬(Au、Ag、Cu等)會(huì)使PN結(jié)耐壓降低，Ⅲ族元素(B、Al、Ga等)會(huì)使N型半導(dǎo)體特性惡化，Ⅴ族元素(P、As、Sb等)會(huì)使P型半導(dǎo)體特性惡化，水中細(xì)菌高溫碳化后的磷(約占灰分的20-50%)會(huì)使P型硅片上的局部區(qū)域變?yōu)镹型硅而導(dǎo)致器件性能變壞，水中的顆粒(包括細(xì)菌)如吸附在硅片表面，就會(huì)引起電路短路或特性變差。

由主機(jī)產(chǎn)生高頻電場(chǎng)對(duì)水進(jìn)行處理，使原有的大締合體狀態(tài)水的結(jié)合鍵被深度打斷，離解成活性很強(qiáng)的單分子或小締合體狀態(tài)的水，從而改變了水的物理結(jié)構(gòu)與特性，增強(qiáng)了水分子的極性，增大了水分子的偶極矩，提高了水分子對(duì)鈣鎂離子、碳酸根離子等成垢組份的水合能力，起到阻止水垢形成的作用。同時(shí)，在變頻電磁場(chǎng)的作用下，使原有的水垢結(jié)晶體逐漸變得松軟、脫落、溶解，從而達(dá)到除垢之目的。

高頻電磁場(chǎng)水應(yīng)用于防垢，是由于存在大量的“離子締合體”或“顆粒締合體”，在水溶液中提供了大量的結(jié)晶核心。結(jié)晶核心越多，生成的結(jié)晶數(shù)量也越多，水垢結(jié)晶的線性尺寸就越小。此外，由于單個(gè)或雙氫聯(lián)結(jié)的水分子數(shù)量增多，水分子的活動(dòng)更“自由”，它占據(jù)水溶液的其它空隙，象形成極薄的膜一樣，因而阻礙晶體生長(zhǎng)，促使水垢結(jié)晶線性尺寸減小，使水垢呈松軟的細(xì)小顆粒，隨排污水排除。

氧化腐蝕和垢下原電池腐蝕是水系統(tǒng)管道及設(shè)備腐蝕和生銹的主要原因，而在高頻電磁場(chǎng)作用下，水垢得以控制和去除，溶解氧與水分子結(jié)合不易析出，從而抑制氧化腐蝕和垢下原電池腐蝕的發(fā)生，起到良好的防腐阻銹的作用。

 另外，高頻電磁場(chǎng)使細(xì)菌、藻類賴以生存的環(huán)境被破壞，并且溶解氧在高頻電磁場(chǎng)的作用下形成一些如03、H202等對(duì)細(xì)菌、藻類具極強(qiáng)殺傷力的物質(zhì)，起到殺菌滅藻的作用。

全程綜合水處理器：具體地說(shuō)是一種全程綜合水處理器,其特征在于水處理罐體上還設(shè)有用于對(duì)循環(huán)水水質(zhì)進(jìn)行檢測(cè)的PH值傳感器,溫度傳感器,電導(dǎo)率檢測(cè)儀,所述控制機(jī)構(gòu)中設(shè)有控制器,PH值電路,溫度電路,電導(dǎo)率電路,顯示器,沖洗控制電路,所述沖洗控制電路包括與控制器相連接的液體壓力傳感器,第二液體壓力傳感器,接觸器,其中液體壓力傳感器設(shè)置在水處理罐體的入口處,第二液體壓力傳感器設(shè)置在水處理罐體的出口處,接觸器的控制端與控制器相連接,輸出端與沖洗泵相連接,沖洗泵安裝在沖洗管路上,沖洗管路與水處理罐體相連接,本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)合理,操作簡(jiǎn)便,工作等顯著的優(yōu)點(diǎn).