氧化鎂晶體單晶-服務(wù)優(yōu)先【合肥合瑞達(dá)】

氧化鎂的熔點(diǎn)在2800°C以上，沸點(diǎn)為3600°C，所以要想得到大尺寸、高純度的氧化鎂單晶，對(duì)原料的選擇和控制要求非常嚴(yán)格。其次，要得到生長(zhǎng)完1美、大尺寸的高質(zhì)量晶體，整個(gè)冶煉過(guò)程非常耗時(shí)耗能，將長(zhǎng)達(dá)幾十個(gè)小時(shí)。在這個(gè)過(guò)程中如何調(diào)整控制電流和電壓，使冶煉過(guò)程能夠安全穩(wěn)定運(yùn)行，電控系統(tǒng)承擔(dān)了zui艱巨的任務(wù)。

在高溫超導(dǎo)領(lǐng)域，氧化鎂晶體作為薄膜生長(zhǎng)基片和半導(dǎo)體材料的襯底駐基片同其它材料相比(如金剛石、白藍(lán)寶石等)具有明顯的價(jià)格優(yōu)勢(shì)，且性能良好。氧化鎂（MgO）單晶基片廣泛應(yīng)用在多個(gè)薄膜技術(shù)領(lǐng)域中。用于制作磁學(xué)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、光學(xué)薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等,也可用于制作移動(dòng)通訊設(shè)備所需的高溫超導(dǎo)微波濾波器等器件。

在高溫超導(dǎo)領(lǐng)域，氧化鎂晶體作為薄膜生長(zhǎng)基片和半導(dǎo)體材料的襯底駐基片同其它材料相比(如金剛石、白藍(lán)寶石等)具有明顯的價(jià)格優(yōu)勢(shì)，且性能良好。氧化鎂的熔點(diǎn)在2800°C以上，沸點(diǎn)為3600°C，所以要想得到大尺寸、高純度的氧化鎂單晶，對(duì)原料的選擇和控制要求非常嚴(yán)格。其次，要得到生長(zhǎng)好、大尺寸的高質(zhì)量晶體，整個(gè)冶煉過(guò)程非常耗時(shí)耗能，將長(zhǎng)達(dá)幾十個(gè)小時(shí)。

一種氧化鎂晶體粉制備方法,使用高純氧化鎂為原料,采用球磨水化獲得漿體,球磨水化的用水量與氧化鎂的重量比大于1:2,水化溫度在50～100℃之間;球磨水化過(guò)程中需要加入表面活性劑.在100～150℃之間對(duì)漿體進(jìn)行干燥,燒結(jié)溫度1600～1750℃,停留2～30小時(shí);燒結(jié)后降溫速率為20～100℃每小時(shí),400℃后自然降溫?zé)Y(jié)后降溫。后將所得物料粉粹來(lái)獲得氧化鎂晶體粉。