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興之揚蝕刻不銹鋼網(wǎng)片小編來向大家說說電漿干法蝕刻中的基本物理及化學現(xiàn)象：

在干法蝕刻中，隨著制程參數(shù)及電漿狀態(tài)的改變，可以區(qū)分為兩種極端的性質(zhì)的蝕刻方式，即純物理性蝕刻與純化學反應性蝕刻。純物理性蝕刻可視為一種物理濺鍍(Sputter)方式，它是利用輝光放電，將氣體如Ar，解離成帶正電的離子，再利用偏壓將離子加速，濺擊在被蝕刻物的表面，而將被蝕刻物質(zhì)原子擊出。比如某些防銹不銹鋼,像蝕刻加工過濾網(wǎng)、不銹鋼過濾片時就需要4min。此過程乃完全利用物理上能量的轉(zhuǎn)移，故謂之物理性蝕刻。其特色為離子撞擊擁有很好的方向性，可獲得接近垂直的蝕刻輪廓。但缺點是由于離子是以撞擊的方式達到蝕刻的目的，因此光阻與待蝕刻材料兩者將同時遭受蝕刻，造成對屏蔽物質(zhì)的蝕刻選擇比變差，同時蝕刻終點必須精準掌控，因為以離子撞擊方式蝕刻對于底層物質(zhì)的選擇比很低。且被擊出的物質(zhì)往往非揮發(fā)性物質(zhì)，而這些物質(zhì)容易再度沉積至被蝕刻物薄膜的表面或側(cè)壁。加上蝕刻效率偏低，因此，以純物理性蝕刻方式在集成電路制造過程中很少被用到。

純化學反應性蝕刻，則是利用電漿產(chǎn)生化學活性極強的原(分)子團，此原(分)子團擴散至待蝕刻物質(zhì)的表面，并與待蝕刻物質(zhì)反應產(chǎn)生揮發(fā)性之反應生成物，并被真空設(shè)備抽離反應腔。型號440—高強度刃具鋼，含碳稍高，經(jīng)過適當?shù)臒崽幚砗罂梢垣@得較高屈服強度，硬度可以達到58HRC，屬于最硬的不銹鋼之列。因此種反應完全利用化學反應來達成，故謂之化學反應性蝕刻。此種蝕刻方式相近于濕式蝕刻，只是反應物及產(chǎn)物的狀態(tài)由液態(tài)改變?yōu)闅鈶B(tài)，并利用電漿來促進蝕刻的速率。因此純化學反應性蝕刻擁有類似于濕式蝕刻的優(yōu)點及缺點，即高選擇比及等向性蝕刻。在半導體制程中純化學反應性蝕刻應用的情況通常為不需做圖形轉(zhuǎn)換的步驟，如光阻的去除等。

除油不凈的原因有：溶液事先清洗不干凈——除油溶液溫度低，時間短——除油溶液濃度低，根據(jù)問題出現(xiàn)的原因，對應加強溶劑的清洗工作，提升除油溶液溫度到規(guī)范區(qū)間，加強除油時間以及提高除油溶液濃度到工藝范圍就可以解決了，關(guān)鍵是在操作前，作業(yè)師傅或者技術(shù)員對相關(guān)濃度與溫度以及時間要有準確的判斷，設(shè)定合適的蝕刻工藝。但在實際生產(chǎn)中也不能無限制地增加NaOH濃度，原因是：a、NaOH濃度對蝕刻速度影響太高的NaOH濃度稠度太大，影響反應的正常進行，同時也增加了對抗蝕層的要求。

工件表面有印跡，主要可能的原因是工件表面殘有殘堿或者殘酸，和材料產(chǎn)生化學反應，有了銹跡，一般是除油和光化處理后清潔不到位引起的，因此要加工強水洗工作，去除殘堿殘酸；另外材料或者工件在腐蝕場合停留過久也會與空氣中的酸堿產(chǎn)生反應，導致印跡的產(chǎn)生，因此工件經(jīng)過清洗后，要盡快轉(zhuǎn)入防蝕層的制作工序。②密度：物質(zhì)的密度是該物質(zhì)單位體積的質(zhì)量，單位是kg/m3或1b/in3。

噴淋式和浸泡式兩種蝕刻工藝該怎么選擇

金屬蝕刻的方法根據(jù)工件和溶液接觸的方式主要分為兩種，那就是噴淋式和浸泡式，那么這兩種蝕刻工藝適合什么樣的零件加工，又該怎么選擇呢？今天興之揚整理歸納一下為大家簡單分析一下噴淋式和浸泡式兩種蝕刻工藝該怎么選擇。

1、不同的生產(chǎn)數(shù)量適合的蝕刻工藝不一樣：

噴淋式蝕刻擁有、速度快、精度高等優(yōu)點，比較適合批量化生產(chǎn)，生產(chǎn)容易實現(xiàn)自動化控制，當然噴淋式蝕刻對設(shè)備要求比較高，成本投入會比較高，而且由于設(shè)備體積與噴淋范圍的影響，并不適合對大尺寸與異形工件的蝕刻；

浸泡式蝕刻設(shè)備投入小，蝕刻方便可蝕刻體積廣，但不適合大批量生產(chǎn)，同時浸泡式蝕刻速度較噴淋式蝕刻慢，生產(chǎn)郊率低，生產(chǎn)過程不易實現(xiàn)自動化控制。