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發(fā)布時(shí)間：2020-12-14 07:25
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磁控濺射鍍膜機(jī)
目前認(rèn)為濺射現(xiàn)象是彈性碰撞的直接結(jié)果，濺射完全是動(dòng)能的交換過(guò)程。當(dāng)正離子轟擊陰極靶，入射離子當(dāng)初撞擊靶表面上的原子時(shí)，產(chǎn)生彈性碰撞，它直接將其動(dòng)能傳遞給靶表面上的某個(gè)原子或分子，該表面原子獲得動(dòng)能再向靶內(nèi)部原子傳遞，經(jīng)過(guò)一系列的級(jí)聯(lián)碰撞過(guò)程，當(dāng)其中某一個(gè)原子或分子獲得指向靶表面外的動(dòng)量，并且具有了克服表面勢(shì)壘(結(jié)合能)的能量，它就可以脫離附近其它原子或分子的束縛，逸出靶面而成為濺射原子。當(dāng)金屬靶材撞向零件時(shí)由于能量轉(zhuǎn)化，與反應(yīng)氣體化合生成氮化物或氧化物。
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鍍膜設(shè)備原理及工藝
主要濺射方式：
反應(yīng)濺射是在濺射的惰性氣體氣氛中,通入一定比例的反應(yīng)氣體,通常用作反應(yīng)氣體的主要是氧氣和氮?dú)狻?
直流濺射(DC Magnetron1 Sputtering)、射頻濺射(RF Magnetron1 Sputtering)、脈沖濺射(PulsedMagnetro n1 Sp uttering)和中頻濺射(Medium Fre2quency Magnetro2 n Sp uttering)
直流濺射方法用于被濺射材料為導(dǎo)電材料的濺射和反應(yīng)濺射鍍膜中,其工藝設(shè)備簡(jiǎn)單,有較高的濺射速率。
中頻交流磁控濺射在單個(gè)陰極靶系統(tǒng)中,與脈沖磁控濺射有同樣的釋放電荷、防止打弧作用。中頻交流濺射技術(shù)還應(yīng)用于孿生靶(Twin2Mag)濺射系統(tǒng)中,中頻交流孿生靶濺射是將中頻交流電源的兩個(gè)輸出端,分別接到閉合磁場(chǎng)非平衡濺射雙靶的各自陰極上,因而在雙靶上分別獲得相位相反的交流電壓,一對(duì)磁控濺射靶則交替成為陰極和陽(yáng)極。為了提高靶材利用率，研究出來(lái)了不同形式的動(dòng)態(tài)靶，其中以旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)圓柱靶工業(yè)上被廣泛應(yīng)用，據(jù)稱這種靶材的利用率可超過(guò)70%，但缺少足夠數(shù)據(jù)或理論證明。孿生靶濺射技術(shù)大大提高磁控濺射運(yùn)行的穩(wěn)定性,可避免被毒化的靶面產(chǎn)生電荷積累,引起靶面電弧打火以及陽(yáng)極消失的問(wèn)題,濺射速率高,為化合物薄膜的工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。
連續(xù)式的磁控濺射生產(chǎn)線 總體上可以分為三個(gè)部分: 前處理, 濺射鍍膜, 后處理。
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磁控濺射鍍膜機(jī)的注意事項(xiàng)
1、保持機(jī)器內(nèi)艙各部位的清潔；
2、關(guān)注真空度指標(biāo)；
3、檢查并記錄抽真空的時(shí)間，如有延長(zhǎng)，立刻檢查造成的原因；
4、記錄濺射功率和時(shí)間（一般濺射機(jī)的銀靶設(shè)定功率為0.6千瓦，金靶的設(shè)定功率為0.75千瓦，鉻的行走速率為9000pps），如有異常，立刻檢查造成的原因；
5、根據(jù)鍍出石英振子的散差，調(diào)整遮擋板的各部尺寸；
6、濺鍍后的石英振子要用3M膠帶檢查其牢固度；
7、測(cè)試并記錄鍍好的石英振子主要指標(biāo)，如：頻率、電阻、DLD等；
8、將不良品挑出：電極錯(cuò)位、劃傷、臟污、掉銀等（工位上要有不良品示意圖）。
以上就是為大家介紹的全部?jī)?nèi)容，希望對(duì)大家有所幫助。如果您想要了解更多磁控濺射鍍膜設(shè)備機(jī)的知識(shí)，歡迎撥打圖片上的熱線聯(lián)系我們。
