PR1 2000A1光刻膠價格貨源充足 賽米萊德

在光刻膠的生產上，我國主要生產PCB光刻膠，LCD光刻膠和半導體光刻膠生產規模較小， 2015年據統計我國光刻膠產量為9.75萬噸，其中中低端PCB光刻膠產值占比為94.4%，半導體和LCD光刻膠分分別占比1.6%和2.7%，嚴重依賴進口。因此，通過調整光刻膠的配方，滿足差異化的應用需求，是光刻膠制造商最核心的技術。

縱觀全球市場，光刻膠專用化學品生產壁壘高，國產化需求強烈。 化學結構特殊、保密性強、用量少、純度要求高、生產工藝復雜、品質要求苛刻，生產、檢測、評價設備投資大，技術需要長期積累。

至今光刻膠專用化學品仍主要被被日本合成橡膠（JSR）、東京應化（TOK）、住友化學、美國杜邦、美國futurrex、德國巴斯夫等化工寡頭壟斷。

光刻膠趨勢

半導體光刻膠領域全球市場規模趨于穩定， 2017年全球市場約13.5億美元；國內市場約20.2億元，近5年復合增速達12%。受全球半導體市場復蘇和國內承接產業轉移，預計全球光刻膠市場將保持穩定增速，國內市占率穩步抬升。

光刻膠生產、檢測、評價的設備價格昂貴，需要一定前期資本投入；光刻膠企業通常運營成本較高，下游廠商認證采購時間較長，為在設備、研發和技術服務上取得競爭優勢，需要足夠的中后期資金支持。而細化到半導體用光刻膠市場，國內企業份額不足30%，與國際水平存在較大差距。企業持續發展也需投入較大的資金，光刻膠行業在資金上存在較高的壁壘，國外光刻膠廠商相對于國內廠商，其公司規模更大，具有資金和技術優勢。

總體上，光刻膠行業得到國家層面上的政策支持。《國家集成電路產業發展推進綱要》，提出“研發光刻機、刻蝕機、離子注入機等關鍵設備，開發光刻膠、大尺英寸硅片等關鍵材料”；國家重點支持的高新技術領域（2015）中提到“高分辨率光刻膠及配套化學品作為精細化學品重要組成部分，是重點發展的新材料技術”；光刻技術（包括光刻膠）是《中國制造 2025》重點領域。屬固含量（%）：31-35主要溶劑：外觀：淺液體涂敷能：均勻的無條紋涂敷100攝氏度熱板烘烤300秒后膜厚涂敷自旋速度40秒自旋。

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6，堅膜

堅膜也叫后烘，是為了去除由于顯影液的浸泡引起膠膜軟化、溶脹現象，能使膠膜附著能力增強，康腐蝕能力提高。

堅膜溫度通常情況高于前烘和曝光后烘烤的溫度 100-140度 10-30min

7，顯影檢驗

光刻膠鉆蝕、圖像尺寸變化、套刻對準不良、光刻膠膜損傷、線條是否齊、陡

小孔、小島。

NR9-3000PY 相對于其他光刻膠具有如下優勢：

- 優異的分辨率性能

- 快速地顯影

- 可以通過調節曝光能量很容易地調節倒梯形側壁的角度

- 耐受溫度100℃

- 室溫儲存保質期長達3 年

正性光刻膠的金屬剝離技術

正性膠的金屬剝離工藝對于獲得難腐蝕金屬的細微光刻圖形比常規的光刻膠掩蔽腐蝕法顯示了優越性。本文首先對金屬剝離工藝中的正、負光刻膠的性能作了對比分析。認為正性光刻膠除圖形分辨率高而適應于微細圖形的掩膜外，它還具有圖形邊緣陡直， 去膠容易等獨特性能，比負性光刻膠更有利于金屬剝離工藝。A正型光阻用PR1系列，負型光阻使用NR5，兩種都可以耐高溫180度。然后給出了具體的工藝條件，并根據正性光刻膠的使用特點指出了工藝中的關鍵點及容易出現的問題。如正性光刻膠同GaAs表面的粘附性較差，這就要求對片子表面的清潔處理更為嚴格。為了高止光刻圖形的漂移控制光刻圖形的尺寸，對曝光時同特別是顯影液溫度提出了嚴格的要求。由于工藝中基本上不經過腐蝕過程，膠膜的耐腐蝕性降到了次要地位。