航天級高穩晶振報價誠信企業推薦「晶宇興」

晶振的負載電容

晶振有一個重要的參數，那就是負載電容值，選擇與負載電容值相等的并聯電容，就可以得到晶振標稱的諧振頻率。

一般的晶振振蕩電路都是在一個反相放大器（注意是放大器不是反相器）的兩端接入晶振，再有兩個電容分別接到晶振的兩端，每個電容的另一端再接到地，這兩個電容串聯的容量值就應該等于負載電容，請注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個不能忽略。

一般的晶振的負載電容為15p或12.5p ，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個22p的電容構成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。負載電容 等效輸入電容=22pF。

晶體振蕩器也分為無源晶振和有源晶振兩種類型

無源晶振與有源晶振（諧振）的英文名稱不同，無源晶振為crystal（晶體），而有源晶振則叫做oscillator（振蕩器），北京晶宇興科技有限公司生產各式晶體晶振，溫度可達175度，性能穩定，體積小，歡迎有需要的客戶，歡迎來電咨詢!

晶體振蕩器技術指標

（1）總頻差：在規定的時間內，由于規定的工作和非工作參數全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標稱頻率的頻差；

（2）頻率溫度穩定度：在標稱電源和負載下，工作在規定溫度范圍內的不帶隱含基準溫度或帶隱含基準溫度的允許頻偏；

（3）頻率穩定預熱時間：以晶體振蕩器穩定輸出頻率為基準，從加電到輸出頻率小于規定頻率允差所需要的時間；

（4）頻率老化率：在恒定的環境條件下測量振蕩器頻率時，振蕩器頻率和時間之間的關系；

（5）頻率壓控范圍：將頻率控制電壓從基準電壓調到規定的終點電壓，晶體振蕩器頻率的小峰值改變量；

（6）壓控頻率響應范圍：當調制頻率時，峰值頻偏與調制頻率之間的關系；

（7）頻率壓控線性：與理想（直線）函數相比的輸出頻率-輸入控制電壓傳輸特性的一種量度，它以百分數表示整個范圍頻偏的可容許非線性度；

（8）單邊帶相位噪聲：偏離載波f處，一個相位調制邊帶的功率密度與載波功率之比。有的技術人員幫助您選型，歡迎您前來咨詢！