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發布時間:2021-08-29 02:53  
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IGBT半導體器件測試系統的主要應用領域概括如下:
?半導體元器件檢測中心——應用本公司測試系統可擴大檢測中心的檢測范圍、提高檢測效率,提升檢測水平,增加經濟效益;
?半導體元器件生產廠 —— 應用本公司測試系統可對半導體元器件生產線的成品進行全參數的測試、篩選、分析,以確保出廠產品的合格率;
?電子電力產品生產、檢修廠——應用本公司測試系統可對所應用到的半導體元器件,尤其對現代新型IGBT大功率器件的全參數進行智能化測試、篩選、分析,以確保出廠產品的穩定性、可靠性;
?航天、領域 ——— 應用本公司測試系統可對所應用到的元器件,尤其對現代新型IGBT大功率器件的全參數進行智能化測試、篩選、分析,以確保出廠產品的穩定性、可靠性;

?航空、電子信息等領域——應用本公司測試系統可對所應用到的元器件,尤其對現代新型IGBT大功率器件的全參數進行智能化測試、篩選、分析,以確保出廠產品的穩定性、可靠性;
?機車、汽車、船舶控制系統生產廠——應用本公司測試系統可對所應用到的元器件,尤其對
?現代新型IGBT大功率器件的全參數進行智能化測試測試、篩選、分析,以確保出廠產品的穩定性、可靠性;
?水力、電力控制系統生產廠——應用本公司測試系統可對所應用到的元器件,尤其對現代新
?型IGBT大功率器件的全參數進行智能化測試測試、篩選、分析,
?以確保出廠產品的穩定性、可靠性。
?優勢行業:電力設備、地鐵、鐵路動力車組和運用大功率半導體器件進行設計、制造的行業。

2.2反向恢復技術條件 測試參數: 1、Irr(反向恢復電流):50~1000A 50~200A±3%±1A 200~1000A±3%±2A 2、Qrr (反向恢復電荷):1~1000uC 1~50uC±5%±0.1 uC 50~200uC±5%±1 uC 200~1000uC±5%±2 uC 3、trr(反向恢復時間):20~2000ns 20~100±5%±1ns 100~500±5%±2ns 500~2000±3%±5ns 4、Erec(反向關斷能量損失):0.5~1000mJ 0.5~1mJ±5%±0.01mJ 1~50mJ±5%±0.1mJ 50~200mJ±5%±1mJ 200~1000mJ±5%±2mJ 測試條件: 1、正向電流IFM:50~1000A 50~200A±3%±1A 200~1000A±3%±2A 2、-di/dt測量范圍:200~10000A/us 3、反向關斷峰值電壓VRRpk:200~1000V±3%±2V 4、dv/dt測量范圍:100~10000V/us
