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發布時間:2021-09-02 21:27  
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高壓型壓敏電阻:其特點是電壓值高(100~250V/mm)、大電流特質好(V10kA/V1mA≤1.4)但單單對窄脈寬(2≤ms)的額定電壓和浪涌有希望的保護能力,能量質量與體積的比值較小,(50~300)J/cm3。
高能型壓敏電阻:其特點是能量質量與體積的比值較大(300J/cm3~750J/cm3),接受長脈寬浪涌技能強,但電壓值較低(20V/mm~500V/mm),大電流特點差(V10kA/V1mA>2.0)。
其電氣特性決定其可以用于各種半導體器件制造中,就像是齊納二極管一樣,但其伏安特性更由于齊納二極管,相當于兩個背對背的二極管的作用,非線性伏安特性明顯,具有上那個伏安特性區域,預擊穿區,是在正常電路下壓敏電阻器所處的安全狀態。擊穿區,是壓敏電阻器兩端施加大于壓敏電阻器電壓時,壓敏電阻器所處的狀態,壓敏電阻器到點是一種隧道擊穿電子電導機理,呈現優良的非線性電導特性。上升區則是電流與電壓幾乎相當于是線性關系,壓敏電阻器在該區域內有劣化,失去了一致電壓和吸收或者是釋放浪涌的特性。所以壓敏電阻器也有一定的應用范圍。超出范圍就出紊亂,無法保護電子設備浪涌電壓等。
能量耐量的選擇
壓敏電阻器所吸收的能量可通過下式計算:W = K.I.U.T(J)。式中:I--流過壓敏電阻器的電流峰值;U--在電流I流過壓敏電阻器時,在其兩端產生的電壓;T--電流I持續的時間;K--電波波形系數,對2ms的方波,K=1;對于8/2Oμs波,K=1.4;對10/1000μs波,K≈1.4。
在實際應用中,電路中所儲存的能量(如線圈和電容上的能量及雜散能量)均要求壓敏電阻器來吸收。碰到這種情況時,在選擇壓敏電阻器時必須要使回路內所儲存電能的總和小于壓敏電阻器所能吸收的能量。