云浮中頻離子鍍膜機廠家值得信賴「至成真空科技」

真空鍍膜設備多弧離子鍍膜工藝不僅避免了傳統表面處理的不足，且各項技術指標都優于傳統工藝，在五金、機械、化工、模具、電子、儀器等領域有廣泛應用。催化液和傳統處理工藝相比，在技術上有哪些？

1、多弧離子鍍膜不用電、降低了成本、成本僅為多弧離子鍍膜鎳的二分之一，真空鍍膜機多弧離子鍍膜鉻的三分之一，不銹鋼的四分之一，可反復利用，大大降低了成本。

2、多弧離子鍍膜易操作、工藝簡單、把金屬基件浸入兌好的液體中“一泡即成”，需要再加工時不經任何處理。

3、多弧離子鍍膜無污染，無毒無味，無三廢排放，屬國家環保產品技術。

4、多弧離子鍍膜好處理、使用方便；形狀復雜的金屬基件都能處理。

5、多弧離子鍍膜硬度大，硬度增強、催化液泡過的金屬基件硬度是多弧離子鍍膜工藝的幾倍。

6、多弧離子鍍膜不會生銹，催化液浸泡過的金屬基件已滲透表皮里面，不起皮、不脫落。

真空鍍膜機光學鍍膜加工上有什么要注意的嗎?

段時間有一個采購光學鍍膜機的客戶簽訂協議的時候，咨詢我這個問題，真空鍍膜機光學鍍膜加工有沒有什么需要注意的地方。在簽訂協議完成的后一個環節，我們的銷售培訓了大量的設備相關的操作知識和注意事項，客戶也學到了不少相關的知識。今天至成真空小編也再次詳細和大家講解一下真空鍍膜機光學鍍膜加工上應該注意的事項，加強大家的設備方面的知識和技能。

真空鍍膜機光學鍍膜加工上有什么要注意的嗎？當光線進入不同傳遞物質時（如由空氣進入玻璃），大約有5%會被反射掉，在光學鏡中有許多透鏡和折射鏡，整個加起來可以讓入射光線損失達30%至40%。現代光學透鏡通常都鍍有單層或多層氟化鎂的增透膜，單層增透膜可使反射減少至1.5%，多層增透膜則可讓反射降低至0.25%，所以整個準鏡如果加以適當鍍膜，光線透穿率可達95%。鍍了單層增透膜的鏡片通常是藍紫色或是紅色，鍍多層增透膜的鏡片則呈淡綠色或暗紫色。

真空鍍膜機增透膜增加透射光強度的實質是作為電磁波的光波在傳播的過程中，在不同介質的分界面上，由于邊界條件的不同，改變了其能量的分布。對于單層薄膜來說，當增透膜兩邊介質不同時，薄膜厚度為1/4波長的奇數倍且薄膜的折射率n=（n1*n2)^(1/2)時（分別是介質1、2的折射率），才可以使入射光全部透過介質。一般光學透鏡都是在空氣中使用，對于一般折射率在1.5左右的光學玻璃，為使單層膜達到100%的增透效果，可使n1=1.23，或接近1.23；還要使增透薄膜的厚度=（2k 1)倍四分之一個波長。單層膜只對某一特定波長的電磁波增透，為使在更大范圍內和更多波長實現增透，人們利用鍍多層膜來實現。

人們對增透膜的利用有了很多的經驗，發現了不少可以作為增透膜的材料；同時也掌握了不少先進的鍍膜技術，因此增透膜的應用涉及醫學、軍事、太空探索等各行各業，為人類科技進步作出了重大貢獻。

多弧濺射在靶材上施小電壓大電流的作用

多弧濺射在靶材上施小電壓大電流使材料離子化（帶正電顆粒），從而高速擊向基片(負電)并沉積，形成致密膜堅硬膜。主要用于耐磨耐蝕膜。中頻濺射的原理跟一般的直流濺射是相同的,不同的是直流濺射把筒體當陽極,而中頻濺射是成對的,筒體是否參加必須視整體設計而定,與整個系統濺射過程中,陽極陰極的安排有關,參與的比率周期有很多方法,不同的方法可得到不相同的濺射產額,得到不相同的離子密度中頻濺射主要技術在于電源的設計與應用,目前較成熟的是正弦波與脈沖方波二種方式輸出,各有其優缺點,首先應考慮膜層種類,分析哪種電源輸出方式適合哪種膜層,可以用電源特性來得到想要的膜層效果.中頻濺射也是磁控濺射的一種,一般真空鍍膜機磁控濺射靶的設計,磁場的設計是各家技術的重點,國際幾個有名的濺射靶制造商,對靶磁場的設計相當專業,改變磁場設計能得到不相同的等離子體蒸發量.電子的路徑,等離子體的分布.關于陰極弧（也就是離子鍍），磁控濺射，以及坩堝蒸發都屬于PVD（物理氣相沉積），坩堝蒸發主要是相變，蒸發靶材只有幾個電子伏特的能量。

多弧離子真空鍍膜機鍍膜技術

很多朋友問我關于多弧離子真空鍍膜機真空技術方面的問題，當時給朋友解釋了很多，今天至成小編為大家詳細介紹一下：

多弧離子鍍是采用電弧放電的方法，在固體的陰極靶材上直接蒸發金屬，蒸發物是從陰極弧光放電放出的陰極物質的離子，這種裝置不需要熔池，被蒸發的靶材接陰極，真空室為陽極，當觸發電極與陰極靶突然瞬間接觸時，就會引起電弧，在陰極表面產生強烈發光的陰極弧光斑點，斑點直徑在100?m以下，斑點內的電流密度可達103~107A/cm2于是在這一區域內的材料就瞬時蒸發并電離。陰極弧光斑點在陰極表面上，以每秒幾十米的速度做無規則運動，外加磁場用來控制輝點的運動軌跡和速度，為了維持真空電弧，一般要求電壓為–20到–40V。多弧離子鍍的原理是基于冷陰極真空弧光放電理論，該理論認為，放電過程的電量遷移是借助于場電子發射和正離子電流這兩種機制同時存在且相互制約而實現的。

在放電過程中，陰極材料大量蒸發，這些蒸汽分子產生的正離子，在陰極表面附近很短的距離內產生極強的電場，在這樣強的電場作用下，電子以產生以場電子發射而溢出到真空中，而正離子可占總的電弧電流的10%左右，被吸到陰極表面的金屬離子形成空間電荷層，由此產生強電場，使陰極表面上功函數小的點(晶界或裂痕)開始發射電子。個別發射電子密度高的點，電流密度高。焦耳熱使溫度上升又產生熱電子，進一步增加發射電子。這個正反饋作用使電流局部集中。由于電流局部集中產生的焦耳熱使陰極材料表面局部爆發性地等離子化，發射電子和離子，并留下放電痕。同時也放出熔融的陰極材料粒子。發射的離子中的一部分被吸回陰極表面，形成空間電荷層，產生強電場，又使新的功函數小的點開始發射電子。