可通過(guò)測(cè)量霍爾元件的電壓變化得到待測(cè)微壓差ΔP。圖1霍爾式磁性液體微壓差傳感器結(jié)構(gòu)示意圖Fig．傳感器改進(jìn)部分的模型如圖2所示。將霍爾元件固定在環(huán)形支架上，通過(guò)滑動(dòng)支架可以改變霍爾元件測(cè)量位置，增加了傳感器測(cè)量范圍。環(huán)形支架的凹槽處放置霍爾元件，兩個(gè)環(huán)形支架可以在滑軌上滑動(dòng)，通過(guò)調(diào)節(jié)兩個(gè)環(huán)形支架間距，可以改變傳感器的測(cè)量量程。
設(shè)計(jì)合成了膽固醇修飾的環(huán)糊精衍生物(CD—CHOL)以及偶氮苯修飾的聚化合物(PAA—Azo),通過(guò)氣液界面組裝成功制備了Langmuir膜,由表面壓-分子面積等溫線表征界面鋪展行為,采用原子力顯微鏡(AFM)對(duì)單層Langmuir膜的形貌進(jìn)行了表征,進(jìn)一步通過(guò)紫外光譜、圓二色譜、紅外光譜、X射線光電子能譜研究組裝膜中環(huán)糊精與偶氮團(tuán)的自組裝過(guò)程與主客體識(shí)別機(jī)理。
要通過(guò)控制主要原料硅砂的粒度范圍來(lái)研究高應(yīng)變點(diǎn)玻璃的熔制特性。通過(guò)金相顯微鏡和場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)分別測(cè)試樣品中的氣泡大小、成分的均勻性。通過(guò)對(duì)不同粒度硅砂配合料進(jìn)行熔制過(guò)程的高溫觀察分析(HTO),探討硅砂的不同粒度對(duì)高應(yīng)變點(diǎn)玻璃熔制行為和澄清時(shí)間的影響。研究結(jié)果表明,當(dāng)硅砂粒度控制在100~150目時(shí),樣品的氣泡含量少,成分較為均勻,熔制、澄清時(shí)間較短。
當(dāng)硅砂粒度控制在150～230目時(shí)，熔制時(shí)間雖比100～150目的樣品短，殘留未熔物較少，但微氣泡大幅增加，澄清時(shí)間大幅延長(zhǎng)，玻璃均勻性也比100～150目的樣品差。因此，對(duì)高應(yīng)變點(diǎn)玻璃的熔制而言，100～150目的硅砂更有利于制備出高質(zhì)量的高應(yīng)變點(diǎn)玻璃基板。圖7不同粒度硅砂配合料的氣泡個(gè)澄清效果的影響-數(shù)控滾圓機(jī)滾弧機(jī)折彎?rùn)C(jī)張家港倒角機(jī)液壓滾圓機(jī)滾弧機(jī)折彎?rùn)C(jī)倒角機(jī)
您好，歡迎來(lái)到易龍商務(wù)網(wǎng)！
發(fā)布時(shí)間：2021-06-15 03:22
