封裝用IGBT測試儀廠家來電咨詢,華科IGBT測試設備

什么是大功率半導體元件？其用途為何？

凡是半導體元件如金屬氧化場效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶閘管）、 GTO等各型閘流體與二極管(DI ODE)等，其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上，均可屬于大功率的范圍。如下圖片所示。此類元件多用于車船，工廠的動力，光電及其他能源的轉換上。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線增加)，進而使半導體的接口產生大量崩潰，而將此元件完全燒毀。

如何檢測元件有老化的現象？ 半導體元件有許多參數都很重要，有些參數如：放大倍率，觸發參數，閂扣，保持參數，崩潰電壓等，是提供給工程師在設計電路時的依據，在檢測元件是否有老化的現象時，僅須測量導通參數及漏電流二項即可。將量測的數據與其出廠規格相比較，就可判定元件的好壞或退化的百分比。 何謂半導體元件的參數？電流 通過選擇不同檔位電感，滿足0~200A電流輸出需求（10ms）。對元件使用上有何重要性？ 中大功率的元件僅在功能上的完好是不夠的，因其必須承受規格上的電壓與電流，在某條件下，承受度的數據便稱為此元件的參數。若元件的工作條件超過其參數數據，元件可能會立刻燒毀或造成性的損壞。

如何執行導通參數與漏電流的量測？

?測試條件中待輸入的數字，必須依照元件生產廠所提供的規格來輸入，而測量結果，亦必須在其所規定的限額內，否則，便為不良品。

大功率I g b t模塊測試系統簡介

我公司所設計生產的半導體元件自動測試系統具備下列測試能力：

☆可單機獨立操作，測試范圍達2000V及50A。

☆外接大電流擴展裝置，檢測范圍可擴展1600A。

關斷時間測試參數： 1、關斷時間toff：5～2000ns±3%±3ns 2、關斷延遲時間td(off)：5～2000ns±3%±3ns 3、下降時間tf：5～2000ns±3%±3ns 4、關斷能量：0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、關斷耗散功率Pon：10W～250kW 關斷時間測試條件： 1、集電極電壓Vce：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 2、集電極電流Ic：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A; 500～1000A±3%±5A;