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發(fā)布時間:2021-09-16 14:35  
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而在電路未啟動之前,由于高壓端啟動電阻的充電,可以將VCC上電容上的電壓充到IC啟動的電壓,一旦電路有問題一下啟動不了VCC由于繞組電壓的預(yù)設(shè)值偏低。電路也是不會啟動的,一般表現(xiàn)為嗝狀態(tài)。●為何要按照IC的工作電壓低端取值?因為我們次級繞組是與初級繞組相鄰繞制的,耦合效果相對而言是的。我們做短路試驗也是做次級的輸出短路,因為耦合效果好,次級短路時VCC在經(jīng)過短暫的上沖后會快速降低,降到IC的關(guān)閉電壓時電路得到的保護(hù)。需要注意這個電壓需要高于MOSFET飽和導(dǎo)通1V以上,避免驅(qū)動不足。
35.傳導(dǎo)整改,分段處理經(jīng)驗,如下圖,這只是處理的一種方法,有些情況并不是能直接套用 36.輻射整改,分段處理經(jīng)驗,如下圖,適合一些新手工程師,提供一個參考的方向,有些情況并不是能直接套用,的還是要搞清楚EMI產(chǎn)生的機(jī)理。 37.關(guān)于PCB碰到的問題,如圖,為什么99SE畫板覆銅填充的時候填不滿這個位置?像是有死銅一樣D1這個元件有個文字描述的屬性放在了頂層銅箔,如圖 把它放到頂層絲印后,解決。38.變壓器銅箔屏蔽主要針對傳導(dǎo),線屏蔽主要針對輻射,當(dāng)傳導(dǎo)非常好的時候,有可能你的輻射會差,這個時候把變壓器的銅箔屏蔽改成線屏蔽,盡量壓低30M下降的位置,這樣整改輻射會快很多。 EMI整改技巧之一 39.測試輻射的時候,多帶點(diǎn)不同品牌的MOS、肖特基。