<em id="b06jl"></em>
      <tfoot id="b06jl"></tfoot>
      <tt id="b06jl"></tt>

        1. <style id="b06jl"></style>

              狠狠干奇米,国产igao,亚卅AV,污污内射在线观看一区二区少妇,丝袜美腿亚洲综合,日日撸日日干,91色鬼,夜夜国自一区
              您好,歡迎來到易龍商務(wù)網(wǎng)!

              oled多源蒸發(fā)鍍膜機定做給您好的建議 沈陽鵬程真空技術(shù)

              發(fā)布時間:2020-08-16 05:56  

              【廣告】







              ZF450型全自動熱蒸發(fā)鍍膜機

              沈陽鵬程真空技術(shù)有限責任公司——專業(yè)電阻器熱蒸發(fā)鍍膜供貨商,我們?yōu)槟峁┫铝行畔?nèi)容。

              選用3~8組蒸發(fā)源可適配金屬材料、有機化合物蒸發(fā)。廣泛運用于高等院校材料、物理學、有機化學、電子器件、電力能源等有關(guān)課程及其科研單位制取高品質(zhì)作用塑料薄膜、蒸鍍電級等,非常合適OPV/鈣鈦礦/無機物太陽能薄膜充電電池、半導(dǎo)體材料、有機化學EL、OLED顯示信息科學研究與開發(fā)設(shè)計行業(yè)。ParyleneC粉具有非常低的水分子和腐蝕性氣體的透過率,沉積生長速率也比N型快得多,相應(yīng)的滲透能力也差于N型。

              1.前開關(guān)門真空內(nèi)腔,便捷拿取基片、拆換蒸發(fā)舟、加上蒸發(fā)材料及其真空室的平時維護保養(yǎng);

              2.1200L/s分子泵做為主抽泵,真空限達到5×10-5Pa; 

              另可選擇進口磁懸浮分子泵或是低溫泵做為主抽泵,真空限達到 3×10-6Pa;

              3. 組水冷器蒸發(fā)電級,可長期平穩(wěn)工作中,適配金屬材料材料與有機化學材料的蒸發(fā)源設(shè)計方案,

              源間有避免交叉式環(huán)境污染擋板;

              4. 真空蒸發(fā)開關(guān)電源,恒流電源/恒輸出功率操縱。可保持一鍵啟動和終止的自動控制系統(tǒng)作用;

              5.較大120mm基片/15~25mm ITO/FTO夾層玻璃25片,可訂制一體化高精密刻蝕掩膜板;

              6.基片臺自轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速比0~25rpm持續(xù)可調(diào)式;

              7. 襯底可挑選加溫或水冷散熱,源基距較大350mm;

              8. 選用進口膜厚監(jiān)控器儀在線監(jiān)控和操縱蒸發(fā)速度、膜厚;

              9. 可堆積金屬材料(Au, Ag, Al, Ca, Cu, Mg, Fe, Cr, Ni等)、非金屬材料、化學物質(zhì)(MoO3, LiF等)

              及有機化合物材料, 可擴展堆積單面膜、雙層膜及混和膜;

              以上就是關(guān)于電阻熱蒸發(fā)鍍膜產(chǎn)品的相關(guān)內(nèi)容介紹,如有需求,歡迎撥打圖片上的熱線電話或關(guān)注沈陽鵬程真空技術(shù)有限責任公司!



              ZF500有機蒸發(fā)鍍膜機

              廣泛應(yīng)用于高校材料、物理、化學、電子、能源等相關(guān)學科以及科研院所制備高質(zhì)量功能薄膜、蒸鍍電極等,半導(dǎo)體、有機EL、OLED顯示研究與開發(fā)領(lǐng)域。

              系統(tǒng)組成:

              主要由真空室、蒸發(fā)源、樣品臺、 真空抽氣及測量、膜厚測試 、電控系統(tǒng)組成。

              技術(shù)指標:

              極限真空度4×10-5Pa,系統(tǒng)漏率:1.2×10-7PaL/S; 恢復(fù)真空時間:40分鐘可達6.0×10 Pa-4

              真空室:D形真空室,尺寸350× 400mm

              樣品臺:尺寸為4英寸4平面樣品;

              有機束源爐:數(shù)量:4支,標準型600度控溫;

              樣品架:安裝加熱爐。基片的溫度從室溫至600℃(硅片上表面的溫度,只需標定一次即可)

              4套擋板系統(tǒng):動密封手動控制;

              樣品擋板(1套),磁力撥叉,

              膜厚控制儀:膜厚測量范圍0-999999?