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常壓燒結法(PLS)在提高燒結氮氣氛壓力方面,利用Si3N4

常壓燒結法（ PLS)

在提高燒結氮氣氛壓力方面，利用Si3N4 分解溫度升高（通常在N2 = 1atm氣壓下，從1800℃開始分解）的性質，在1700———1800℃溫度范圍內進行常壓燒結后，再在1800———2000℃溫度范圍內進壓燒結。該法目的在于采用氣壓能促進Si3N4 陶瓷組織致密化，從而提高陶瓷的強度.所得產品的性能比熱壓燒結略低。這種方法的缺點與熱壓燒結相似。應用用于航空、冶金、機械、半導體等工業中制造高溫軸承、冶金坩堝、半導體區域熔煉舟器等。

對單質硅的粉末進行滲氮處理的合成方法是在二十世紀50年代隨著對氮化硅的重新“發現”而開發出來的。也是種用于大量生產氮化硅粉末的方法。但如果使用的硅原料純度低會使得生產出的氮化硅含有雜質硅酸鹽和鐵。用二胺分解法合成的氮化硅是無定形態的，需要進一步在1400-1500℃的氮氣下做退火處理才能將之轉化為晶態粉末，二胺分解法在重要性方面是僅次于滲氮法的商品化生產氮化硅的方法。碳熱還原反應是制造氮化硅的途徑也是工業上制造氮化硅粉末成本效益的手段。可用作建筑窯爐和各種熱工設備的高溫建筑材料和結構材料，并在高溫下能經受各種物理化學變化和機械作用。

氮化硅制品按工藝可以分為反應燒結制品、熱壓制品、常壓燒結制品、等靜壓燒結制品和反應重燒制品等。其中，反應燒結是一種常用的生產氮化硅耐火制品的方法。

反應燒結法生產氮化硅制品是將磨細的硅粉（粒度一般小于80μm），用機壓或等靜壓成型，坯體干燥后，在氮氣中加熱至1350～1400℃，在燒成過程中同時氮化而制得。采用這種生產方法，原料條件和燒成工藝及氣氛條件對制品的性能有很大的影響。