吉林大樣片離子束刻蝕機(jī)價(jià)格專業(yè)團(tuán)隊(duì)在線服務(wù) 創(chuàng)世威納公司

刻蝕技術(shù)

由于曝光束不同，刻蝕技術(shù)可以分為光刻蝕（簡稱光刻）、X射線刻蝕、電子束刻蝕和離子束刻蝕，其中離子束刻蝕具有分辨率高和感光速度快的優(yōu)點(diǎn)，是正在開發(fā)中的新型技術(shù)。

北京創(chuàng)世威納以誠信為首 ,服務(wù)至上為宗旨。公司生產(chǎn)、銷售離子束刻蝕機(jī),公司擁有強(qiáng)大的銷售團(tuán)隊(duì)和經(jīng)營理念。想要了解更多信息，趕快撥打圖片上的熱線電話！

刻蝕機(jī)

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刻蝕機(jī)是基于真空中的高頻激勵(lì)而產(chǎn)生的輝光放電將四氟化碳中的氟離子電離出來從而獲得化學(xué)活性微粒與被刻蝕材料起化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生輝發(fā)性物質(zhì)進(jìn)行刻蝕的。同時(shí)為了保證氟離子的濃度和刻蝕速度必須加入一定比例的氧氣生成二氧化碳。 　　

刻蝕機(jī)主要對(duì)太陽能電池片周邊的P—N結(jié)進(jìn)行刻蝕，使太陽能電池片周邊呈開路狀態(tài)。也可用于半導(dǎo)體工藝中多晶硅，氮化硅的刻蝕和去膠。

刻蝕精度主要是用保真度、選擇比、均勻性等參數(shù)來衡量。所謂保真度度，就是要求把光刻膠的圖形轉(zhuǎn)移到其下的薄膜上，即希望只刻蝕所要刻蝕的薄膜，而對(duì)其上的掩膜和其下的襯底沒有刻蝕。事實(shí)上，以上三個(gè)部分都會(huì)被刻蝕，只是刻蝕速率不同。選擇比就是用來衡量這一指標(biāo)的參數(shù)。S=V/U（V為對(duì)薄膜的刻蝕速率，U為對(duì)掩膜或襯底的刻蝕速率），S越大則選擇比越好。由于跨越整個(gè)硅片的薄膜厚度和刻蝕速率不盡相同，從而也導(dǎo)致圖形轉(zhuǎn)移的不均勻，等離子刻蝕機(jī)尤其是中心和邊緣相差較大。因而均勻性成為衡量這一指標(biāo)的重要參數(shù)。除以上參數(shù)外，刻蝕速率也是一個(gè)重要指標(biāo)，它用來衡量硅片的產(chǎn)出速度，刻蝕速率越快，則產(chǎn)出率越高。

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