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              廣東PC面板批發的行業須知「多圖」

              發布時間:2021-05-24 11:53  

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              蝕刻標牌

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              蝕刻液的 PH 值﹕

              堿性蝕刻液的 PH 值較高時﹐側蝕會增大。 為了減少側蝕﹐PH 值一般應控制在 8.5 以下。通常整個導向標識工程由四個階段完成:概念設計-條件設計-方案評議修改-定案實施。 蝕刻液的密度﹕ 堿性蝕刻液的密度太低會加重側蝕﹐選用高銅濃度的蝕刻液對減少側蝕非常有利。 銅箔厚度﹕ 要達到小側蝕的細導線的蝕刻﹐采用(超)薄銅箔。 而且線寬越細﹐銅箔厚度應越 薄。 因為, 銅箔越薄在蝕刻液中的時間會越短﹐側蝕量就越小。 2. 提高基板與基板之間蝕刻速率的一致性 在連續的板蝕刻中﹐蝕刻速率的一致性越高﹐越能獲得蝕刻均勻的板。 要達到這一 個要求﹐必須保證蝕刻液在蝕刻的整個過程始終保持在很好的蝕刻狀態。



              蝕刻是在光刻過的基片上可通過濕刻(wet etching)和干刻(dry etching)等方法將 阻擋層上的平面二維圖形加工成具有一定深度的立體結構。選用適當的蝕刻劑,使 它對光膠、薄膜和基片材料的腐蝕速度不同,可以在薄膜或基片上產生所需的微結 構。大型不銹鋼蝕刻標牌的制作不銹鋼具有合金鋼的機械強度和性能,有光亮的灰白色澤,更重要的是有很好的抗大氣腐蝕性能,因此被廣泛地應用在工業和日常生活的各領域。 ? 復雜的微結構可通過多次重復薄膜沉積-光刻-蝕刻這三個工序來完成。微流控基片通過預處理,涂膠,前烘,曝光,顯影及堅膜,去膠等步驟后,材料上 呈現所需要的圖形,即通道網絡。 蓋板與微流控芯片基片的封接 ? 基片和蓋板封接后形成封閉的小池,可用來儲存試劑或安裝電極。


              蝕刻技術 一、名詞定義 均勻性( Uniformity)-- 相對平均值的變化,常在描述蝕刻速率,CD 和淀積物厚度時使用。因為上板面有溶液的堆積﹐減弱了蝕刻反應的進行,但可以通過調整上下噴嘴的噴淋壓力來解決上下板面蝕刻不均的現象。 有以下幾種百分數表示的數學定義: 平均均勻性=[(Max-Min)÷(2× AVG)]× 100% 中值均勻性=[(Max-min)÷ (Max+Min)]× 100% 3sigma 均勻性=(3× STD)÷ AVG× 100% 選擇比 (Selectivity) – 不同材料蝕刻速率的比值。 中止層 (Stopping layer) – 停止層,通常通過終點控制。 剖面形貌 (Profile) – 器件結構橫截面的形狀和傾斜度。