封裝用IGBT測試儀廠家歡迎來電,華科IGBT開關測試

現今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場效應晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場上居于主導地位。由于科技進步，電力電子裝置對輕薄短小及之要求 ,帶動MOSFET及IGBT的發展，尤其應用于電氣設備、光電、航天、鐵路、電力轉換.培訓后，應能達到用戶能基本完全獨立熟練操作單元進行功率半導體性能測試，并能解決實際工程問題。...等領域，使半導體開發技術人員在市場需求下，對大功率元件的發展技術，持續在突破。

技術要求

3.1整體技術指標

3.1.1 功能與測試對象

*1）功能

GBT模塊動態參數測試。

*2）測試對象

被測器件IGBT模塊動態參數。測試溫度范圍 Tj=25°及125°。

3.1.2 IGBT模塊動態測試參數及指標

測試單元對IGBT模塊和FRD的動態參數及其他參數的定義滿足國際標準IEC60747-9以及IEC60747-2。

以下參數的測試可以在不同的電壓等級、電流等級、溫度、機械壓力、回路寄生電感以及不同的驅動回路參數下進行。

14）工控機及操作系統

用于控制及數據處理，采用定制化系統，主要技術參數要求如下：

?機箱：4Μ 15槽上架式機箱；

?支持ATX母板；

?CPΜ：INTEL雙核；

?主板：研華SIMB；

?硬盤：1TB；內存4G；

?3個5.25”和1個3.5”外部驅動器；

?集成VGA顯示接口、4個PCI接口、6個串口、6個ΜSB接口等。

?西門子PLC邏輯控制

15）數據采集與處理單元

用于數據采集及數據處理，主要技術參數要求如下：

?示波器;高壓探頭：滿足表格4-11動態參數、短路電流、安全工作區測試需求

?電流探頭：滿足表格4-11動態參數、短路電流、安全工作區測試需求

?狀態監測：NI數據采集卡

?上位機：基于Labview人機界面

?數據提取：測試數據可存儲為Excel文件及其他用戶需要的任何數據格式，特別是動態測試波形可存儲為數據格式；所檢測數據可傳遞至上位機處理；從檢測部分傳輸的數據經上位機處理后可自動列表顯示相應測試數據；?數據處理和狀態檢測部分內容可擴展