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在真空中制備膜層，包括鍍制晶態的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

　　真空鍍膜技術初現于20世紀30年，四五十年開始出現工業應用，工業化大規模生產開始于20世紀80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業中取得廣泛的應用。

真空鍍膜

②光密度法。光密度(OD)定義為材料遮光能力的表征。光密度沒有量綱單位，是一個對數值，通常僅對鍍鋁薄膜和珠光膜進行光密度測量。 光密度是入射光與透射光比值的對數或者說是光線透過率倒數的對數。

計算公式為： OD=lg（入射光／透射光）或OD=lg（1／透光率） 通常鍍鋁膜的光密度值為l～3(即光線透過率為0.10/0~10%)，數值越大鍍鋁層越厚。 光密度OD值、方阻值對應的鋁層厚度如表6-7所示。 表6-70D值、方阻值和鋁層厚度對照表 光密度 OD值 電阻值 Ohm/Square方阻值 鋁層厚度 A 1.6 3 320 1.8 2.7 360 2.0 2.35 400 2.2 2.05 440 2.4 1.8 480 2.6 1.55 520 2.8 1.3 560 3.0 1.0 600

淺談真空鍍膜的幾大優勢

 一：堆積資料廣泛：可堆積鋁、鈦、鋯等濕法電鍍無法堆積的低電位金屬，通以反響氣體和合金靶材更是能夠堆積從合金到陶瓷甚至是金剛石的涂層，并且能夠根據需要規劃涂層系統。

二：節省金屬資料：因為真空涂層的附著力、致密度、硬度、耐腐蝕功能等適當優良，堆積的真空電鍍鍍層能夠遠遠小于慣例濕法電鍍鍍層，到達節省的意圖。