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種子是慢慢浮出熔化物的，種子和熔化物間的表面張力在子晶表面上形成一層薄的硅膜，然后冷卻。冷卻時，已熔化硅中的原子會按照子晶的晶體結(jié)構(gòu)自我定向。硅錠完全長大時，它的初始直徑要比終晶圓片要求的直徑大一點。

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斯坦福大學(xué)所展示的這一技術(shù)進(jìn)步則標(biāo)志著完整的工作電路已被創(chuàng)造出來，表明這種材料可能真的會達(dá)到人們的期望。

　硅是一種普遍存在的自然元素，既可當(dāng)做導(dǎo)體，也可當(dāng)做絕緣體。硅芯片的生命周期相較計算機(jī)工程師原本的設(shè)想已經(jīng)長了數(shù)十年，這是因為雖然晶體管的尺寸在一代代變小，但人們總有相應(yīng)的先進(jìn)工藝在上面蝕刻電路。

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TI的RFAB、TSMC12廠5期和UMC12A廠3/4期(前12B廠)以及三星的6生產(chǎn)線和IM在新加坡的閃存工廠。SEMI的全球集成電路制

造廠觀測報告也揭示了一批即將破土動工的新建芯片制造廠的計劃，如TSMC14廠的第4期、可能動工的FlashAlliance的5廠及其他。