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              NR75 1000HP光刻膠報價詢問報價「賽米萊德」

              發(fā)布時間:2021-04-16 15:32  

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              光刻膠的參數(shù)

              賽米萊德專業(yè)生產(chǎn)、銷售光刻膠,我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

              分辨率

              分辨率英文名:resolution。區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力,一般用關(guān)鍵尺寸(CD,Critical Dimension)來衡量分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小,光刻膠的分辨率越好。

              對比度

              對比度(Contrast)指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過渡的陡度。對比度越好,形成圖形的側(cè)壁越陡峭,分辨率越好。

              敏感度

              敏感度(Sensitivity)光刻膠上產(chǎn)生一個良好的圖形所需一定波長光的能量值(或曝光量)。單位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對于波長更短的深紫外光(DUV)、極深紫外光(EUV)等尤為重要。

              粘滯性黏度

              粘滯性/黏度(Viscosity)是衡量光刻膠流動特性的參數(shù)。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加;高的粘滯性會產(chǎn)生厚的光刻膠;越小的粘滯性,就有越均勻的光刻膠厚度。光刻膠的比重(SG,Specific Gravity)是衡量光刻膠的密度的指標(biāo)。它與光刻膠中的固體含量有關(guān)。較大的比重意味著光刻膠中含有更多的固體,粘滯性更高、流動性更差。粘度的單位:泊(poise),光刻膠一般用厘泊(cps,厘泊為1%泊)來度量。百分泊即厘泊為粘滯率;運(yùn)動粘滯率定義為:運(yùn)動粘滯率=粘滯率/比重。 單位:百分斯托克斯(cs)=cps/SG。

              粘附性

              粘附性(Adherence)表征光刻膠粘著于襯底的強(qiáng)度。光刻膠的粘附性不足會導(dǎo)致硅片表面的圖形變形。光刻膠的粘附性必須經(jīng)受住后續(xù)工藝(刻蝕、離子注入等)。

              抗蝕性

              抗蝕性(Anti-etching)光刻膠必須保持它的粘附性,在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。

              表面張力

              液體中將表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間吸引力。光刻膠應(yīng)該具有比較小的表面張力(Surface Tension),使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。



              光刻膠分類

              正性光刻膠和負(fù)性光刻膠

              光刻膠可依據(jù)不同的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行分類。按照化學(xué)反應(yīng)和顯影的原理,光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。如果顯影時未曝光部分溶解于顯影液,形成的圖形與掩膜版相反,稱為負(fù)性光刻膠;如果顯影時曝光部分溶解于顯影液,形成的圖形與掩膜版相同,稱為正性光刻膠。

              在實際運(yùn)用過程中,由于負(fù)性光刻膠在顯影時容易發(fā)生變形和膨脹的情況,一般情況下分辨率只能達(dá)到 2 微米,因此正性光刻膠的應(yīng)用更為廣泛。

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              為什么現(xiàn)在還有人使用負(fù)性膠

              劃分光刻膠的一個基本的類別是它的極性。光刻膠在曝光之后,被浸入顯影溶液中。在顯影過程中,正性光刻膠曝過光的區(qū)域溶解得要快得多。理想情況下,未曝光的區(qū)域保持不變。負(fù)性光刻膠正好相反,在顯影劑中未曝光的區(qū)域?qū)⑷芙猓毓獾膮^(qū)域被保留。正性膠的分辨力往往是較好的,因此在IC制造中的應(yīng)用更為普及,但MEMS系統(tǒng)中,由于加工要求相對較低,光刻膠需求量大,負(fù)性膠仍有應(yīng)用市場。

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              光刻膠的主要技術(shù)參數(shù)

              1、分辨率:區(qū)別硅片表面相鄰圖形特性的能力,一般用關(guān)鍵尺寸來衡量 分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小,光刻膠的分辨率越好。

              2、對比度:指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過渡的陡度。對比度越好,形成圖形的側(cè)壁越陡峭,分辨率越好。

              3、敏感度:光刻膠上產(chǎn)生一 個良好的圖形所需一 定波長的小能量值(或小曝光量)。單位:焦/平方厘米或mJ/cm2.光刻膠

              的敏感性對于波長更短的深紫外光(DUV)、極深紫外光(EUV)等尤為重要。

              4、粘滯性/黏度:衡量光刻膠流動特性的參數(shù)。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加;高的粘滯性會產(chǎn)生厚的光刻膠;越小的

              粘滯性,就有越均勻的光刻膠厚度。

              5、粘附性:表征光刻膠粘著于襯底的強(qiáng)度。光刻膠的粘附性不足會導(dǎo)致硅片表面的圖形變形。

              6、抗蝕性:光刻膠必須保持它的粘附性,在后續(xù)的刻蝕I序中保護(hù)襯底表面。

              7、表面張力:液體中將表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間吸引力。光刻膠應(yīng)該具有比較小的表面張力,使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。

              8、存儲和傳送:能量可以啟動光刻膠。應(yīng)該存儲在密閉、低溫、不透光的盒中。 同時必須規(guī)定光刻膠的閑置期限和存貯溫度環(huán)境。

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