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發布時間：2021-04-16 15:32
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光刻膠的參數
賽米萊德專業生產、銷售光刻膠，我們為您分析該產品的以下信息。
分辨率
分辨率英文名：resolution。區別硅片表面相鄰圖形特征的能力,一般用關鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量分辨率。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。
對比度
對比度（Contrast）指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度。對比度越好，形成圖形的側壁越陡峭，分辨率越好。
敏感度
敏感度（Sensitivity）光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長光的能量值（或曝光量）。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對于波長更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要。
粘滯性黏度
粘滯性/黏度（Viscosity）是衡量光刻膠流動特性的參數。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加；高的粘滯性會產生厚的光刻膠；越小的粘滯性，就有越均勻的光刻膠厚度。光刻膠的比重（SG，Specific Gravity）是衡量光刻膠的密度的指標。它與光刻膠中的固體含量有關。較大的比重意味著光刻膠中含有更多的固體，粘滯性更高、流動性更差。粘度的單位：泊（poise），光刻膠一般用厘泊（cps，厘泊為1%泊）來度量。百分泊即厘泊為粘滯率；運動粘滯率定義為：運動粘滯率=粘滯率/比重。 單位：百分斯托克斯（cs）=cps/SG。
粘附性
粘附性（Adherence）表征光刻膠粘著于襯底的強度。光刻膠的粘附性不足會導致硅片表面的圖形變形。光刻膠的粘附性必須經受住后續工藝（刻蝕、離子注入等）。
抗蝕性
抗蝕性（Anti-etching）光刻膠必須保持它的粘附性，在后續的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。
表面張力
液體中將表面分子拉向液體主體內的分子間吸引力。光刻膠應該具有比較小的表面張力（Surface Tension），使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。
光刻膠分類
正性光刻膠和負性光刻膠
光刻膠可依據不同的產品標準進行分類。按照化學反應和顯影的原理,光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。如果顯影時未曝光部分溶解于顯影液,形成的圖形與掩膜版相反,稱為負性光刻膠;如果顯影時曝光部分溶解于顯影液,形成的圖形與掩膜版相同,稱為正性光刻膠。
在實際運用過程中,由于負性光刻膠在顯影時容易發生變形和膨脹的情況,一般情況下分辨率只能達到 2 微米,因此正性光刻膠的應用更為廣泛。
為什么現在還有人使用負性膠
劃分光刻膠的一個基本的類別是它的極性。光刻膠在曝光之后，被浸入顯影溶液中。在顯影過程中，正性光刻膠曝過光的區域溶解得要快得多。理想情況下，未曝光的區域保持不變。負性光刻膠正好相反，在顯影劑中未曝光的區域將溶解，而曝光的區域被保留。正性膠的分辨力往往是較好的，因此在IC制造中的應用更為普及，但MEMS系統中，由于加工要求相對較低，光刻膠需求量大，負性膠仍有應用市場。
期望大家在選購光刻膠時多一份細心，少一份浮躁，不要錯過細節疑問。想要了解更多光刻膠的相關資訊，歡迎撥打圖片上的熱線電話！！！
光刻膠的主要技術參數
1、分辨率:區別硅片表面相鄰圖形特性的能力，一般用關鍵尺寸來衡量 分辨率。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。
2、對比度:指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度。對比度越好，形成圖形的側壁越陡峭，分辨率越好。
3、敏感度:光刻膠上產生一 個良好的圖形所需一 定波長的小能量值(或小曝光量)。單位:焦/平方厘米或mJ/cm2.光刻膠
的敏感性對于波長更短的深紫外光(DUV)、極深紫外光(EUV)等尤為重要。
4、粘滯性/黏度:衡量光刻膠流動特性的參數。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加;高的粘滯性會產生厚的光刻膠;越小的
粘滯性，就有越均勻的光刻膠厚度。
5、粘附性:表征光刻膠粘著于襯底的強度。光刻膠的粘附性不足會導致硅片表面的圖形變形。
6、抗蝕性:光刻膠必須保持它的粘附性，在后續的刻蝕I序中保護襯底表面。
7、表面張力:液體中將表面分子拉向液體主體內的分子間吸引力。光刻膠應該具有比較小的表面張力，使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。
8、存儲和傳送:能量可以啟動光刻膠。應該存儲在密閉、低溫、不透光的盒中。 同時必須規定光刻膠的閑置期限和存貯溫度環境。
以上內容由賽米萊德為您提供，希望對同行業的朋友有所幫助！
