氣相化學沉積設備廠家擇優推薦 沈陽鵬程真空技術

ICP刻蝕機簡介

以下是沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您一起分享的內容，沈陽鵬程真空技術有限責任公司專業生產化學氣相沉積，歡迎新老客戶蒞臨。

一．系統概況

該系統主要用于常規尺寸樣片（不超過Φ6）的刻蝕，可刻蝕的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、

硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻膠、半導體材料、部分金屬等。設備具有選擇比高、刻

蝕速率快、重復性好等優點。具體描述如下：

1.系統采用單室方箱式結構，手動上開蓋結構；

2.真空室組件及配備零部件全部采用鋁材料制造，真空尺寸為400mm×400×197mm，

內腔尺寸Ф340mm×160mm；

3.極限真空度：≤6.6x10-4 Pa (經烘烤除氣后，采用FF160/600分子泵抽氣)；

系統真空檢漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S；

系統從大氣開始抽氣到5.0x10-3 Pa，20分鐘可達到（采用分子泵抽氣)；

停泵關機12小時后真空度：≤5 Pa；

4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進氣方式；

5.樣品水冷：由循環水冷水機進行控制；

7.ICP頭尺寸：340mm mm，噴淋頭與樣品之間電極間距50mm；

8. 沉積工作真空：1-20Pa；

9. 氣路設有勻氣系統，真空室內設有保證抽氣均勻性抽氣裝置；

10. 射頻電源：2臺頻率 13.56MHz，功率600W，全自動匹配；

11. 6路氣體，共計使用6個質量流量控制器控制進氣。

氣體：氦氣/氧氣/四氟化碳/六氟化硫

12. 刻蝕速率

SiO2：≥0.5μm/min

Si：≥1μm/min

光刻膠：≥1μm/min

13. 刻蝕不均勻性：

優于±5%（Φ4英寸范圍內）

優于±6%（Φ6英寸范圍內）

14. 選擇比

CF4的選擇比為50,

化學氣相沉積的特點

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特點

1）在中溫或高溫下，通過氣態的初始化合物之間的氣相化學反應而形成固體物質沉積在基體上。

2）可以在常壓或者真空條件下(負壓“進行沉積、通常真空沉積膜層質量較好）。

）采用等離子和激光輔助技術可以顯著地促進化學反應，使沉積可在較低的溫度下進行。

4）涂層的化學成分可以隨氣相組成的改變而變化，從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。

5）可以控制涂層的密度和涂層純度。

6）繞鍍件好。可在復雜形狀的基體上以及顆粒材料上鍍膜。適合涂覆各種復雜形狀的工件。由于它的繞鍍性能好，所以可涂覆帶有槽、溝、孔，甚至是盲孔的工件。

7）沉積層通常具有柱狀晶體結構，不耐彎曲，但可通過各種技術對化學反應進行的氣相擾動，以改善其結構。

8）可以通過各種反應形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物涂層。

化學氣相沉積過程介紹

化學氣相沉積過程分為三個重要階段：反應氣體向基體表面擴散、反應氣體吸附于基體表面、在基體表面上發生化學反應形成固態沉積物及產生的氣相副產物脫離基體表面。常見的化學氣相沉積反應有:熱分解反應、化學合成反應和化學傳輸反應等。通常沉積TiC或TiN，是向850~1100℃的反應室通入TiCl4，H2，CH4等氣體，經化學反應，在基體表面形成覆層。ICP刻蝕機裝片介紹以下內容由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供，今天我們來分享ICP刻蝕機的相關內容，希望對同行業的朋友有所幫助。

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