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發布時間:2021-08-09 07:34  
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LED芯片生產工藝流程
外延片制作出來以后,就可以按照下面的流程來制作 LED 芯片了:
外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→窗口圖形光刻→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。
在生長完外延片后,下一步就開始對 LED 外延片做電極(P 極,N 極),接著就開始用激光機切割 LED 外延片(以前切割 LED 外延片主要用鉆石刀),制造成芯片,然后在晶圓上的不同位置抽取九個點做參數測試,看看是否合格。
從上面可以看到 LED 外延片和芯片的生產離不開 MOCVD 、光刻機、刻蝕機、離子注入機、減薄機、劃片機、檢測設備等高i精尖設備。 LED 芯片產業屬于重資產行業,從事該行業需要先重金購買先進的生產設備,還需要配置潔凈無塵廠房,同時在各個環節還需要大量的工人。所以該行業是典型的:資金密集型、勞動密集型和技術密集型同時具備的產業。

LED外延片生長的基本原理
LED外延片是一塊加熱至適當溫度的襯底基片,材料是半導體照明產業技術發展的基石。不同的襯底材料,需要不同的LED外延片生長技術、芯片加工技術和器件封裝技術,襯底材料決定了半導體照明技術的發展路線。
LED外延片生長的基本原理是:在一塊加熱至適當溫度的襯底基片(主要有藍寶石和、SiC、Si)上,氣態物質InGaAlP有控制的輸送到襯底表面,生長出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長技術主要采用有機金屬化學氣相沉積方法。
LED外延片襯底材料是半導體照明產業技術發展的基石。不同的襯底材料,需要不同的LED外延片生長技術、芯片加工技術和器件封裝技術,襯底材料決定了半導體照明技術的發展路線。

用于半導體照明的芯片技術的發展主流是什么?
隨著半導體LED技術的發展,其在照明領域的應用也越來越多,特別是白光LED的出現,更是成為半導體照明的熱點。
但是關鍵的芯片、封裝技術還有待提高,在芯片方面要朝大功率、高光效和降低熱阻方面發展。
提高功率意味著芯片的使用電流加大,較為直接的辦法是加大芯片尺寸,現在普遍出現的大功率芯片都在1mm×1mm左右,使用電流在350mA.由于使用電流的加大,散熱問題成為突出問題,現在通過芯片倒裝的方法基本解決了這一文題。
隨著LED技術的發展,其在照明領域的應用會面臨一個從未有的機遇和挑戰。
LED屏和主板之間的數據傳輸一般采用的都是串行式數據傳輸方式(SPI),再通過信號包復用技術同步傳送顯示數據和控制數據,但在刷新率和解析度提高的情況下,很容易造成資料傳輸的瓶頸,導致系統的不穩定。此外,在LED屏屏幕面積較大時,控制線往往也非常長,容易受到電磁干擾,影響傳輸信號的質量。
雖然近年來有些廠商引入了新的傳輸介質,但如何才能為用戶提供真正性能,且性價比較高的產品方案是困擾產業的一個重點問題。為此,部分廠商提出,LED顯示屏的數據傳輸方式亟待需要從層的技術層面入手,尋找到一種創新的解決方案。
值得注意的是,LED屏技術革新已牽涉到產業鏈的各個環節,包括驅動IC制作工藝的提升、控制系統的硬件化、控制軟件的智能化開發等等,這些技術創新需要IC設計廠商、控制系統開發廠商、面板廠商,甚于包括終端用戶等更為緊密地結合在一起,共同打破行業應用的“僵局”。特別是在控制系統的開發上,如何與IC設計公司更好地相互協作,提高LED屏的系統性能以及控制軟件的智能化水平是當務之急。
