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發布時間：2021-09-16 21:44
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光刻工藝主要性一
光刻膠不僅具有純度要求高、工藝復雜等特征，還需要相應光刻機與之配對調試。一般情況下，一個芯片在制造過程中需要進行10~50道光刻過程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會有不同的要求。光刻膠國內的研發起步較晚光刻膠的研發，關鍵在于其成分復雜、工藝技術難以掌握。
針對不同應用需求，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過調整光刻膠的配方來實現。因此，通過調整光刻膠的配方，滿足差異化的應用需求，是光刻膠制造商核心的技術。
此外，由于光刻加工分辨率直接關系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應。光刻分辨率與曝光波長、數值孔徑和工藝系數相關。
光刻膠國內研發現狀
“造成與國際水平差距的原因很多。過去由于我國在開始規劃發展集成電路產業上，布局不合理、不完整，特別是生產加工環節的投資，而忽視了重要的基礎材料、裝備與應用研究。目前，整個產業是中間加工環節強，前后兩端弱，核心技術至今被TOK、JSR、住友化學、信越化學等日本企業所壟斷。同種厚度的正負膠，在對于抗濕法和腐蝕性方面負膠更勝一籌，正膠難以企及。
光刻膠的主要技術指標有解析度、顯影時間、異物數量、附著力、阻抗等。每一項技術指標都很重要，必須全部指標達到才能使用。因此，國外企業在配方、生產工藝技術等方面，對中國長期保密。中國的研發技術有待進一步發展
PR1-2000A1NR9 3000PY光刻膠廠家
4,曝光
前烘好的存底放在光刻膠襯底放在光刻機上，經與光刻版對準后，進行曝光，接受光照的光刻膠發生化學變化，形成潛影，
光源與光刻膠相匹配，也就是光源波長在光刻膠的敏感波段；
對準：指光刻板上與襯底的對版標記應準確對準，這樣一套光刻版各版之間的圖形才能彼此套準。
曝光時間，由光源強度，光刻膠種類，厚度等決定，
另外，為降低駐波效應影響，可在曝光后需進行烘焙，稱為光后烘焙（PEB）
PR1-1000A1
NR9-3000PY 負性光刻膠
負膠 NR9-3000PY 被設計用于i 線（365 nm）曝光，可使用如步進光刻、掃描投影式光刻、接近式光刻
和接觸式光刻等工具。
顯影之后，NR9-3000PY 展現出一種倒梯形側壁，這可以方便地作單純的LIFT-OFF 處理。
NR9-3000PY 相對于其他光刻膠具有如下優勢：
- 優異的分辨率性能
- 快速地顯影
- 可以通過調節曝光能量很容易地調節倒梯形側壁的角度
- 耐受溫度100℃
- 室溫儲存保質期長達3 年
Lift-Off工藝
應用領域：LEDs，OLEDs，displays，MEMS，packaging，biochips。
濕法蝕刻，鍍 干法蝕刻（RIE/Ion Milling/Ion implantation）
附著力好Temperature resistance = 100°C 耐高溫Temperature resistance = 180°C
Resist Thickness NR9-3000PY 負性光刻膠
負膠 NR9-3000PY 被設計用于i 線（365
nm）曝光，可使用如步進光刻、掃描投影式光刻、接近式光刻
