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              發布時間:2021-07-25 16:31  

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              活性炭生產的主要原料是植物原料(木材、果核、果殼、棉稈、蔗糖渣等)、礦物原料(瀝青、石油瀝青等)。廢物(如塑料廢物、橡膠廢物和動物骨血等)、合成纖維材料(如聚等)合成纖維材料(如聚纖維、粘合纖維、瀝青基纖維等)。 根據生產中使用的原料,我國主要活性炭品種包括木活性炭,煤活性炭,殼活性炭和纖維狀活性炭。




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              一般來說,碳化硅耐火材料具有多方面的優良性能,例如,在比較寬的溫度范圍內具有高的強度、高的抗熱震性、優良的耐磨性能、高的熱導率、耐化學腐蝕性等。不過,也應看到,它的弱點是能力差,由此而造成高溫積脹大、變形等降低了使用壽命。

              為了提高碳化硅耐火材料的性能,在結合劑方面做了不少的選擇工作。使用粘土(包括氧化物)結合,但并未能起到保護作用,碳化硅顆粒仍然受到氧化和侵蝕。50年代末,選擇用氮化硅(Si3N4)結合,作為碳化硅耐火材料的改進產品,確實具有很好的性(見圖1),且無顯著的膨脹現象。但是價格較貴;加之在反復加熱冷卻時有突然破壞的可能;而氮化硅本身的網絡結構帶有滲透性,不能從根本上保護碳化硅不被氧化。60年代初,又出現了用氧氮化硅(Si2ON2)結合的碳化硅耐火材料,比之氮化硅結合具有更好的性能,因為氧氮化硅粘附于碳化硅表面的氧化硅薄膜,并與其反應形成和碳化硅牢固結合的連續保護膜。同時,這種材料的價格適當,相當于用氧化物結合的碳化硅材料。




                   碳化硅陶瓷

                  碳化硅陶瓷在石油、化工、微電子、汽車、航天、航空、造紙、激光、礦業及原子能等工業領域獲得了廣泛的應用。下面為大家來介紹一下碳化硅陶瓷的良好導熱性能。

                碳化硅陶瓷的良好導熱性能 陶瓷的優異性能與其獨特結構密切相關。SiC是共價鍵很強的化合物,SiC中Si-C鍵的離子性僅12%左右。因此,SiC強度高、彈性模量大,具有優良的耐磨損性能。純SiC不會被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等堿溶液侵蝕。在空氣中加熱時易發生氧化,但氧化時表面形成的SiO2會抑制氧的進一步擴散,故氧化速率并不高。在電性能方面,SiC具有半導體性,少量雜質的引入會表現出良好的導電性。此外,SiC還有優良的導熱性。




              碳化硅的原料有石英砂、石油焦等,又叫金剛砂,化學結構為六方形晶體,通常比重為 3.2,硬度較大,平均為3000kg/mm2。碳化硅具有很多優點,如導熱系數高、膨脹系數小、體積小和強度高等。碳化硅涂層被電磁波影響,從而產生感應電流,應電流易受電磁場影響改變方向,同時由于材料的高電阻阻礙,電磁波的能量會變為熱量散失,即能量消耗,這樣雷達等電子設備的信號大大減弱,這種現象稱為吸波性能。

              不同類型的碳化硅材料具有不同的吸波能力。例如,異形截面的碳化硅與邊界規則的碳化硅截面具有不同的吸波性能,不同碳化硅的表面曲率不同,其電荷聚集的能力也不同,通常曲率較小則容易聚集電荷。另外,不同厚度的涂層對吸波性能也有不同的影響。