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幾種不銹鋼材料選擇和用途

蝕刻加工材料選擇：很多易變的因素表示侵蝕介質的特征，即化學制品和其濃度、大氣狀態(tài)、溫度、時間，所以假如不了解介質的準確的性質，要使用材料、選擇材料是難題。但是，以下可作為選擇指南：

304型廣泛使用的材料。在建筑中能經(jīng)受一般的銹蝕，可抵擋食物加工介質浸蝕（但含有濃酸和氯化物成分的高溫狀態(tài)可能泛起侵蝕），能抵擋有機化合物、染料和廣泛的各種各樣的無機化合物。二、新產(chǎn)品蝕刻設計開發(fā)變更靈活，費用低，可以實現(xiàn)金屬表面的半蝕刻刻，增加公司LOGO，實現(xiàn)品牌化生，以防盜用。304L型（低碳），并耐用中等溫度和濃度的硫酸，廣泛地用作液態(tài)氣體貯罐，用作低溫設備（304N）、用具其它消費產(chǎn)品，廚房設備、病院設備、運輸工具、廢水處理裝置。

304不銹鋼板，304不銹鋼機械性能：

耐空氣、蒸汽、水等弱腐蝕介質和酸、堿、鹽等化學浸蝕性介質腐蝕的鋼。304不銹鋼又稱不銹耐酸鋼。實際應用中，常將耐弱腐蝕介質腐蝕的鋼稱為不銹鋼，而將耐化學介質腐蝕的鋼稱為耐酸鋼。由于兩者在化學成分上的差異，前者不一定耐化學介質腐蝕，而后者則一般均具有不銹性。不銹鋼的耐蝕性取決于鋼中所含的合金元素。鉻是使不銹鋼獲得耐蝕性的基本元素，當鋼中含鉻量達到12％左右時，鉻與腐蝕介質中的氧作用，在鋼表面形成一層很薄的氧化膜（自鈍化膜），可阻止鋼的基體進一步腐蝕。除鉻外，常用的合金元素還有鎳、鉬、鈦、鈮、銅、氮等，以滿足各種用途對不銹鋼組織和性能的要求。不銹鋼通常按基體組織分為：①鐵素體不銹鋼。含鉻12％～30％。其耐蝕性、韌性和可焊性隨含鉻量的增加而提高，耐氯化物應力腐蝕性能優(yōu)于其他種類不銹鋼。高pH值會產(chǎn)生較大的側蝕并會影響到一些光致抗蝕劑的性能，特別是水溶性光致抗蝕劑，氨水或NH4OH的添加通常是由一個pH感應控制系統(tǒng)自動完成的。②奧氏體不銹鋼。含鉻大于18％，還含有8％左右的鎳及少量鉬、鈦、氮等元素。綜合性能好，可耐多種介質腐蝕。③奧氏體-鐵素體雙相不銹鋼。兼有奧氏體和鐵素體不銹鋼的優(yōu)點，并具有超塑性。④馬氏體不銹鋼。強度高，但塑性和可焊性較差。

興之揚蝕刻不銹鋼網(wǎng)片小編來向大家說說電漿干法蝕刻制程參數(shù)：

電漿蝕刻制程參數(shù)一般包括了射頻(RF)功率、壓力、氣體種類及流量、蝕刻溫度及腔體的設計等因素，而這些因素的綜合結果將直接影響蝕刻的結果。

射頻(RF)功率是用來產(chǎn)生電漿及提供離子能量的來源，因此功率的改變將影響電漿中離子的密度及撞擊能量而改變蝕刻的結果。壓力也會影響離子的密度及撞擊能量，另外也會改變化學聚合的能力；蝕刻反應物滯留在腔體內(nèi)的時間正比于壓力的大小，一般說來，延長反應物滯留的時間將會提高化學蝕刻的機率并且提高聚合速率。氣體流量的大小會影響反應物滯留在腔體內(nèi)的時間；增加氣體流量將加速氣體的分布并可提供更多未反應的蝕刻反應物，因此可降低負載效應(LoadingEffect)；改變氣體流量也會影響蝕刻速率。原則上溫度會影響化學反速率及反應物的吸附系數(shù)(AdsorptionCoefficient)，提高芯片溫度將使得聚合物的沉積速率降低，導致側壁的保護減低，但表面在蝕刻后會較為干凈；增加腔體的溫度可減少聚合物沉積于管壁的機率，以提升蝕刻制程的再現(xiàn)性。晶圓背部氦氣循環(huán)流動可控制蝕刻時晶圓的溫度與溫度的均勻性，以避免光阻燒焦或蝕刻輪廓變形。其它尚須考慮的因素還有腔體的材質，一般常見的材質包含鋁、陶瓷、石英、硅及石墨等，不同的腔體材質會產(chǎn)生不同的反應產(chǎn)物并會改變蝕刻的直流偏壓。興之揚蝕刻電視304不銹鋼網(wǎng)小編來給大家講解什么是干法蝕刻：電漿干法蝕刻主要應用于集成電路制程中線路圖案的定義，通常需搭配光阻的使用及微影技術，其中包括了1)氮化硅(Nitride)蝕刻：應用于定義主動區(qū)。

興之揚SMT蝕刻不銹鋼網(wǎng)小編給大家介紹點蝕縫隙腐蝕是什么？

在電解液中，金屬與金屬或金屬與非金屬表面之間構成狹窄的縫隙，縫隙內(nèi)有關物質的移動受到了阻滯，形成濃差電池，從而產(chǎn)生局部腐蝕，這種腐蝕被稱為縫隙腐蝕。縫隙腐蝕常發(fā)生在設備中法蘭的連接處，墊圈、襯板、纏繞與金屬重疊處，它可以在不同的金屬和不同的腐蝕介質中出現(xiàn)，從而給生產(chǎn)設備的正常運行造成嚴重障礙，甚至發(fā)生破壞事故。對鈦及鈦合金來說，縫隙腐蝕是應關注的腐蝕現(xiàn)象。介質中，氧氣濃度增加，縫隙腐蝕量增加；PH值減小，陽極溶解速度增加，縫隙腐蝕量也增加；活性陰離子的濃度增加，縫隙腐蝕敏感性升高。純物理性蝕刻可視為一種物理濺鍍(Sputter)方式，它是利用輝光放電，將氣體如Ar，解離成帶正電的離子，再利用偏壓將離子加速，濺擊在被蝕刻物的表面，而將被蝕刻物質原子擊出。但是，某些含氧陰離子的增加會減小縫隙腐蝕量。