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光刻膠應用

光刻膠是一種具有光化學敏感性的功能性化學材料，是由光引發劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體（活性稀釋劑）、溶劑和其他助劑組成的對光敏感的混合液體，其中，樹脂約占50%，單體約占35%。它能通過光化學反應改變自身在顯影液中的溶解性，通過將光刻膠均勻涂布在硅片、玻璃和金屬等不同的襯底上，利用它的光化學敏感性，通過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程，將設計在掩膜版上的圖形轉移到襯底上。

光刻膠常被稱為是精細化工行業技術壁壘的材料，是因為微米級乃至納米級的圖形加工對其專用化學品的要求極高，不僅化學結構特殊，品質要求也很苛刻，所以生產工藝復雜，需要長期的技術積累。

被廣泛應用于光電信息產業的微細圖形線路的加工制作，是電子制造領域的關鍵材料之一。下游主要用于集成電路、面板和分立器件的微細加工，同時在LED、光伏、磁頭及精密傳感器等制作過程中也有廣泛應用，是微細加工技術的關鍵性材料。

光刻是整個集成電路制造過程中耗時長、難度大的工藝，耗時占IC制造50%左右，成本約占IC生產成本的1/3。光刻膠是光刻過程重要的耗材，光刻膠的質量對光刻工藝有著重要影響。

光刻是將圖形由掩膜版上轉移到硅片上，為后續的刻蝕步驟作準備。在光刻過程中，需在硅片上涂一層光刻膠，經紫外線曝光后，光刻膠的化學性質發生變化，在通過顯影后，被曝光的光刻膠將被去除，從而實現將電路圖形由掩膜版轉移到光刻膠上。再經過刻蝕過程，實現電路圖形由光刻膠轉移到硅片上。在刻蝕過程中，光刻膠起防腐蝕的保護作用。

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光刻膠的參數介紹

1．對比度（Contrast）

對比度指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度。 對比度越好，越容易形成側壁陡直的圖形和較高的寬高比。

2．粘滯性/黏度 （Viscosity）

衡量光刻膠流動特性的參數。黏度通常可以使用光刻膠中聚合物的固體含量來控制。同一種光刻膠根據濃度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度決定了該膠的不同的涂膠厚度。

3．抗蝕性（Anti-etching）

光刻膠必須保持它的粘附性，在后續的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。  

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