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離化PVD技術(shù)通過將成膜材料高度電離化形成膜材料離子，從而增加膜材料離子的沉積動(dòng)能，并使之在高化學(xué)活性狀態(tài)下沉積薄膜的技術(shù)，包括離子鍍、離子束沉積和離子束輔助沉積三類。

離化PVD過程大多是蒸發(fā)/濺射（氣相物質(zhì)激發(fā)）與等離子體離化過程（賦能、）的交叉結(jié)合。

蒸發(fā)鍍膜是依靠源材料的晶格振動(dòng)能克服逸出功，從而形成沉積粒子的熱發(fā)射，即：外加能量（電阻/電子束/激光/電弧/射頻）賦予材料較高的晶格振動(dòng)能，使其克服固有的逸出功逸出粒子。而濺射是依靠高能離子輸入動(dòng)能，借助源材料中粒子間的彈性碰撞，致使更高動(dòng)能粒子逸出。離化PVD 是以其它手段激發(fā)沉積物質(zhì)粒子，然后使之與高度電離的等離子體交互作用（類似 PECVD），促使沉積粒子離化，使之既可被電場加速而獲得更高動(dòng)能，同時(shí)在低溫狀態(tài)下具有高化學(xué)活性。

工藝特點(diǎn)

（1）廣泛應(yīng)用于金屬涂層、陶瓷涂層、無機(jī)涂層材料等。

（2）在產(chǎn)量方面，從單件到大批量皆可。

（3）有質(zhì)量優(yōu)勢，沉積溫度低，薄膜成份易控，膜厚與淀積時(shí)間成正比，均勻性，重復(fù)性好，臺(tái)階覆蓋性優(yōu)良。

（4）工具涂層的生產(chǎn)效率不如PVD，具體取決于特定技術(shù)要求和輔助工藝。

4、適用材料

化學(xué)氣相沉積曾是真空技術(shù)廣泛用于陶瓷沉積的一種技術(shù)，特別是對(duì)工具涂層更是這樣。

20世界80年代早期隨著等離子體輔助PVD工藝的顯露，CVD在工具方面的應(yīng)用衰落了。但由于這種工藝具有非常好的滲入特性，其在CVI、ALE等領(lǐng)域的工藝中有著很好的應(yīng)用前景，主要用于金屬涂層、陶瓷涂層、無機(jī)涂層材料。

對(duì)于需要更高的表面形態(tài)質(zhì)量的應(yīng)用（對(duì)于粗糙度，晶粒尺寸，化學(xué)計(jì)量和其他要求比沉積速率更重要的應(yīng)用），濺射工藝似乎是一種替代方法。由于在冷卻過程中隨著溫度或基材（聚合物）熔化溫度的降低而產(chǎn)生的應(yīng)力，沉積過程對(duì)某些應(yīng)用提出了溫度限制。這導(dǎo)致濺射工藝在PVD沉積技術(shù)中變得更加重要，同時(shí)又不會(huì)忘記基于濺射工藝的新技術(shù)的出現(xiàn)，以滿足不斷增長的市場需求。

濺射（或陰極噴涂）和蒸發(fā)是用于薄膜沉積的常用的PVD方法。

在PVD技術(shù)中，釋放或碰撞的熱物理過程將要沉積的材料（目標(biāo)）轉(zhuǎn)化為原子粒子，然后在真空環(huán)境中在氣態(tài)等離子體條件下將原子粒子定向到基材，通過冷凝或化學(xué)反應(yīng)生成物理涂層。投射原子的積累。該技術(shù)的結(jié)果是，要沉積的材料類型具有更高的靈活性，并且可以更好地控制沉積膜的成分。連接到高壓電源和真空室的兩個(gè)電極構(gòu)成了PVD反應(yīng)器。