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碳化硅材料與劇烈加熱的物料的可塑性有關(guān)

碳化硅由于化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途。低品級(jí)碳化硅是好的脫氧劑，用它可加快煉鋼速度，并便于控制化學(xué)成分，提高鋼的質(zhì)量。

熱塑壓制。碳化硅材料與劇烈加熱的物料的可塑性有關(guān)，料此法在于將物加熱至熱塑狀態(tài)后壓制。當(dāng)熱塑壓制時(shí)，致密化系通過(guò)當(dāng)泥料受熱時(shí)發(fā)生劇烈塑性變形時(shí)向泥料加壓的方法來(lái)達(dá)到的。通常系向預(yù)先加熱粗坯，然后將其放入壓模中再施加壓力。

緩慢擴(kuò)散。碳化硅制品的另一種熱壓過(guò)程是利用緩慢的擴(kuò)散燒結(jié)原理。此法與熱塑壓制法相比，通常需要在較高的溫度下進(jìn)行，并且占用較長(zhǎng)的時(shí)間。向在模型內(nèi)直接加熱若干時(shí)間的粉料施加壓力。

導(dǎo)熱性。細(xì)密碳化硅資料的導(dǎo)熱性跟著溫度的升高而有所下降，可是輕質(zhì)碳化硅的則跟著溫度升高而升高。熱容量。依據(jù)成分不一樣，各種碳化硅質(zhì)耐火資料的熱容量改變不大，而且跟著溫度的升高，其值在有所增加。

生產(chǎn)工藝粗、中、細(xì)SiC的配方

生產(chǎn)工藝

粗 、中、細(xì)SiC的配方應(yīng)為5：1：4。制造碳化硅原料一般選用黑色SiC，其化學(xué)成分如下：SiC 98.0%，游離C 0.5%，F(xiàn)e 0.2%，游離SiO2 0.6%。由于結(jié)合方式不同，工藝過(guò)程有差異。不同結(jié)合方式的簡(jiǎn)要工藝是：

(1)氮化硅結(jié)合碳化硅：用粗、中、細(xì)碳化硅顆粒和細(xì)硅粉成型的坯體，在純N2氣體中，在1370℃產(chǎn)生一種以&α-SiC為骨架和以&α和&β-Si3N4。此外，它與微波輻射有很強(qiáng)的耦合作用，并其所有之高升華點(diǎn)，使其可實(shí)際應(yīng)用于加熱金屬。為基質(zhì)的氮化硅結(jié)合碳化硅。在基質(zhì)中尚有少量殘留硅和SiO2N2在制品中，這些組分的相對(duì)含量隨制造工廠不同而異。

(2)結(jié)合碳化硅：將SiC、硅粉、炭粉按一定配比，混合、成型，在1400℃還原氣氛中燒成。在大多數(shù)情況下采用埋炭燒成。黑碳化硅的導(dǎo)熱性能受到純度、溫度以及生產(chǎn)工藝等一系列因素的影響，企業(yè)在購(gòu)買(mǎi)過(guò)程中，可以結(jié)合自己對(duì)性能的實(shí)際需求，挑選合適的產(chǎn)品，這樣才能提高使用效率。在燒成過(guò)程中，產(chǎn)生一種以&α-SiC為骨架，以細(xì)晶粒&β-SiC為基質(zhì)的&β-Si3N4結(jié)合SiC磚。&β-SiC是在燒成過(guò)程中，細(xì)硅粉與細(xì)碳粉反應(yīng)生成的，這種產(chǎn)品也含有少量殘留硅和碳。

(3)氧氮化硅結(jié)合碳化硅：這種磚配料時(shí)，細(xì)硅粉配比要少于碳化硅。

據(jù)碳化硅廠家了解，碳化硅微粉是應(yīng)用較早、使用量較大的微粉之一，在目前市場(chǎng)銷(xiāo)售耐火材料用的碳化硅微粉多采用機(jī)械粉碎法，其粒徑約為1-5微米之間，而精細(xì)陶瓷所用碳化硅微粉制取則主要采取氣相反應(yīng)合成法，該法已有很成熟的工藝，但是，由于傳統(tǒng)的加熱技術(shù)難以控制反應(yīng)氣體分子的時(shí)間，近年來(lái)又發(fā)展了以激光作為熱源的氣相合成法—激光誘發(fā)氣相化學(xué)反應(yīng)法，它不僅使用于碳化硅，同樣也適用于制Si、Si3N4、B、B4C、ZrB2、TiO2、TiB2、Al2O3等微粉。一般我們所看到的碳化硅有兩種顏色，一種黑色，一種綠色（加工過(guò)程中都會(huì)使用到石英砂、石油焦、回爐料、木屑等等），不同顏色的含量，用途也會(huì)有一定的差別。