檢修用IGBT測試儀加工值得信賴,華科動態參數IGBT

IGBT測試裝置技術要求 （1）設備功能 IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態參數測試。系統的測試原理符合相應的國家標準，系統為獨立式單元，封閉式結構，具有升級擴展潛能。 IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態參數測試，在IGBT的檢測中，采用大電流脈沖對IGBT進行VCE飽和壓降及續流二極管壓降的檢測。5系統應配有內置ups，保證計算機系統在電網短時間掉電情況下，為系統供電0。為提供穩定的大電流脈沖，采用了支撐電容補償及步進充電的方法，解決IGBT進行VCE飽和壓降及續流二極管壓降的檢測問題。

5、感性負載

5.1 有效電感 L 100 200 500 1000 μH；

5.2 電流 Ic 1000 1000 1000 500 A；

外部電感成陣列的內部連接。（外部電感的H值傳給PC，以計算電流源的極限，限制脈寬到1000us）。

6、標準的雙控制極驅動

6.1 門極電阻可人工預先設定如：2.5Ω，5Ω，10Ω等；

6.2 開啟（Trun-ON）輸出電壓 Vge ： 15V；

6.3 關斷（Trun-ON）輸出電壓 Vge- ： -15V；

6.4 脈寬： 10 ~ 1000us （單脈沖、雙脈沖總時間）；

6.5 電壓開關時間： < 50ns；

6.6 輸出內阻： < 0.5Ω；

主要參數 測試范圍 精度要求 測試條件

Vce

集射極電壓 150～3300V 150～500V±3%±1V；

500～1000V±2%±2V；

1000～3300V±1%±5V； 150～3300V

Ic

集射極電流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A

Vge

柵極電壓 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；

0～ 30V±1%±0.1V -30V～30V

Qg

柵極電荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC

td(on)、td(off)

開通/關斷延遲 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降時間 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

Eon、Eoff

開通/關斷能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；

50～200mJ±2%±1mJ；

200～1000mJ±2%±2mJ；

1000～5000mJ±1%±5mJ；

公司擁有一批長期從事自動控制與應用、計算技術與應用、微電子技術、電力電子技術方面的人才。公司裝備精良，具有先進的檢測手段，產品生產嚴格按照ISO9001∶2008標準質量管理體系運行，其品質、技術及工藝方面保持國內，部分產品達到國外同類產品的先進水平。 產品廣泛應用于電力、冶金自動化、軌道交通、電力電子新能源開發等行業，部分產品出口到歐美等發達國家。1開關時間測試單元技術條件 開通時間測試參數： 1、開通時間ton：5～2000ns±3%±3ns 2、開通延遲時間td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升時間tr：5～2000ns±3%±3ns 4、開通能量：0。