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發(fā)布時間：2020-09-25 04:30
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在冶煉碳化硅時，之所以會出現(xiàn)粗細(xì)不均勾，主要在于爐心裝置不均勻，例如尺寸不均、加壓不均、有大塊雜物等。另外，爐心下部料密度過低，造成爐心下沉多，易發(fā)生下沉不均現(xiàn)象；爐心上部料高度不均造成對，爐心的壓力不均等都會引起結(jié)晶筒的粗細(xì)不均勾。采用小爐心時，這一現(xiàn)象更易發(fā)生。硅酸干燥脫水后的產(chǎn)物為硅膠，它有很強的吸附能力，能吸收各種氣體，因此常用來作吸附劑、干燥劑和部分催化劑的載體這就是硅。
爐心截面小的地方電阻大，電流通過時產(chǎn)生熱量多，爐溫較高，sic分解層增厚，爐心擴大的結(jié)果使?fàn)t阻減小的速度較快。反之爐心截面大的地方，由于sic分解而造成的爐心擴大就比較慢。這樣就自動縮小了爐心截面積之間的差距。貴的物理性質(zhì)硅原子結(jié)構(gòu)三維圖[8]有無定形硅和晶體硅兩種同素異形體。但是這種自動調(diào)節(jié)作用也有一定的限度。
硅的電學(xué)性質(zhì)：半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì)有兩個十分突出的特點，一是導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間，其電阻率約在10-4～1010Ω·cm范圍內(nèi)；二是電導(dǎo)率和導(dǎo)電型號對雜質(zhì)和外界因素(光、熱、磁等)高度敏感。
無缺陷半導(dǎo)體的導(dǎo)電性很差，稱為本征半導(dǎo)體。當(dāng)摻入極微量的電活性雜質(zhì)，其電導(dǎo)率將會顯著增加，當(dāng)硅中摻雜以施主雜質(zhì)為主時，以電子導(dǎo)電為主，成為N型硅；當(dāng)硅中摻雜以受主雜質(zhì)為主時，以空穴導(dǎo)電為主，成為P型硅。硅中P型和N型之間的界面形成PN結(jié)，它是半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)和工作基礎(chǔ)。水稻在受到蟲害時，硅可以警備水稻迅速抗逆性相關(guān)的茉莉酸途徑，茉莉酸信號反過來促進(jìn)硅的吸收，硅與茉莉酸信號途徑相互作用影響著水稻對害蟲的抗性。
硅元素，原子序數(shù)14，原子量28.0855， 硅有晶態(tài)和無定形兩種形式。晶態(tài)硅具有金剛石晶格，硬而脆，熔點1410°C，沸點2355°C，密度2.32～2.34克/厘米3,硬度為7。無定形硅是一種灰黑色粉末，實際是微晶體。優(yōu)質(zhì)增碳劑一般指經(jīng)過石墨化的增碳劑，在高溫條件下，碳原子的排列呈石墨的微觀形態(tài)，所以稱之為石墨化。晶態(tài)硅的電導(dǎo)率不及金屬，且隨溫度升高而增加，具有明顯的半導(dǎo)體性質(zhì)。本廠技術(shù)力量雄厚，檢測手段齊全，具有完善的科學(xué)管理及質(zhì)量保證體系
