常年回收氮化硅價格常用解決方案 鞏義佰潤商貿公司

性能氮化硅磚是以Si3N4為主要成分的特殊耐火材料制品

性能氮化硅磚是以Si3N4為主要成分的獨特耐火保溫材料產品。相對密度3.19g/cm3。熱膨脹系數小，為2.53×10-6/℃。1200℃下導熱率18.4W/(m·K)。常壓燒結法（PLS)在提高燒結氮氣氛壓力方面，利用Si3N4分解溫度升高（通常在N2=1atm氣壓下，從1800℃開始分解）的性質，在1700———1800℃溫度范圍內進行常壓燒結后，再在1800———2000℃溫度范圍內進壓燒結。耐熱性好，1200～2000℃熱交換器上一千次不毀壞。抗折強度可達200~700MPa，耐空氣氧化溫度1400℃，在復原氛圍中可達1870℃。室內溫度電阻1.1×1014Ω·m。選用硅粉滲氮后煅燒或壓合方式制得。

反應燒結法(RS)是采用一般成型法

反應燒結法（ RS)

是采用一般成型法，先將硅粉壓制成所需形狀的生坯，放入氮化爐經預氮化（部分氮化）燒結處理，預氮化后的生坯已具有一定的強度，可以進行各種機械加工（如車、刨、銑、鉆).。然后，在硅熔點的溫度以上；將生坯再一次進行完全氮化燒結，得到尺寸變化很小的產品（即生坯燒結后，收縮率很小，線收縮率< 011% ). 該產品一般不需研磨加工即可使用。該法目的在于采用氣壓能促進Si3N4陶瓷組織致密化，從而提高陶瓷的強度。反應燒結法適于制造形狀復雜，尺寸正常的零件，成本也低，但氮化時間很長。

常壓燒結法(PLS)在提高燒結氮氣氛壓力方面,利用Si3N4

常壓燒結法（ PLS)

在提高燒結氮氣氛壓力方面，利用Si3N4 分解溫度升高（通常在N2 = 1atm氣壓下，從1800℃開始分解）的性質，在1700———1800℃溫度范圍內進行常壓燒結后，再在1800———2000℃溫度范圍內進壓燒結。該法目的在于采用氣壓能促進Si3N4 陶瓷組織致密化，從而提高陶瓷的強度.所得產品的性能比熱壓燒結略低。按制備工藝方法來劃分可分為燒成磚、不燒磚、電熔磚（熔鑄磚）、耐火隔熱磚。這種方法的缺點與熱壓燒結相似。

熱壓燒結的氮化硅加熱到l000°C后投入冷水中也不會

氮化硅的許多 特性都歸結為在此構造。純Si3N4為3119，有α和β二種分子結構，均為六角晶型，其溶解溫度在空氣中為1800℃，在110MPa氮中為1850℃。Si3N4線膨脹系數低、導熱率高，困窮耐高溫破壞性不錯。壓合煅燒的氮化硅加溫到l000℃后資金投入涼水中也不容易。氮化硅是耐火材料行業用量較大的原材料，由于氮化硅的耐高溫性能和抗侵蝕性能都較好，所以氮化硅是生產高爐無水炮泥、鐵鉤澆注料、耐腐蝕氮化硅陶瓷的原材料。不在太高的溫度下，Si3N4具備較高的強度和耐沖擊性，但在1200℃之上會隨使用時間的提高而出現損壞，使其強度減少，在1450℃之上更易出現疲憊毀壞，因此Si3N4的應用溫度一般不超過1300℃。因為Si3N4的基礎理論相對密度低，比鋼和工程項目超耐高溫碳素鋼輕得多，因此，在這些規定原材料具備高強度、耐熱等特性的地區用Si3N4瓷器去替代碳素鋼是再適合但是了。它是用硅粉作原材料，先用一般成形的方式制成需要的樣子，在N2以及1200℃的高溫下開展基本氮化，使在其中一部分硅粉與氮反映轉化成氮化硅，這時候全部坯體早已具備一定的強度。隨后在1350℃～1450℃的箱式電爐中開展二次氮化，反映成氮化硅。用壓合煅燒法能制得做到基礎理論相對密度99%的氮化硅。