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發布時間:2021-10-01 06:30  
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三、華科智源IGBT測試儀系統特征: A:測量多種IGBT、MOS管 B:脈沖電流1200A,電壓5KV,測試范圍廣;可選購外部高壓模塊,執行關閉狀態參數測試如:各項崩潰電壓與漏電流測量達2KV。 C:脈沖寬度 50uS~300uS D:Vce測量精度2mV E:Vce測量范圍>10V F:電腦圖形顯示界面 G:智能保護被測量器件 H:上位機攜帶數據庫功能 I:MOS IGBT內部二極管壓降 J : 一次測試IGBT全部靜態參數 K: 生成測試曲線(IV曲線直觀看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位) L:可以進行不同曲線的對比,觀測同一批次產品的曲線狀態,或者不同廠家同一規格參數的曲線對比;
表格12動態參數測試部分組成
序號 組成部分 單位 數量
1 可調充電電源 套 1
2 直流電容器 個 8
3 動態測試負載電感 套 1
4 安全工作區測試負載電感 套 1
5 補充充電回路限流電感L 個 1
6 短路保護放電回路 套 1
7 正常放電回路 套 1
8 高壓大功率開關 個 5
9 尖峰抑制電容 個 1
10 主回路正向導通晶閘管 個 2
11 動態測試續流二極管 個 2
12 安全工作區測試續流二極管 個 3
13 被測器件旁路開關 個 1
14 工控機及操作系統 套 1
15 數據采集與處理單元 套 1
16 機柜及其面板 套 1
17 壓接夾具及其配套系統 套 1
18 加熱裝置 套 1
19 其他輔件 套 1

9)尖峰抑制電容 用于防止關斷瞬態過程中的IGBT器件電壓過沖。 ?電容容量 200μF ?分布電感 小于10nH ?脈沖電流 2kA ?工作溫度 室溫~40℃ ?工作濕度 <70% 11)動態測試續流二極管 用于防止測試過程中的過電壓。 ?反向電壓 8000V(2只串聯) ?電子電力產品生產、檢修廠——應用本公司測試系統可對所應用到的半導體元器件,尤其對現代新型IGBT大功率器件的全參數進行智能化測試、篩選、分析,以確保出廠產品的穩定性、可靠性。-di/dt大于2000A/μs ?通態電流 1200A ?壓降小于1V ?浪涌電流大于20kA ?反向恢復時間小于2μs ?工作溫度 室溫~40℃ ?工作濕度 <70% 12)安全工作區測試續流二極管 ?反向電壓 12kV(3只串聯) ?-di/dt 大于2000A/μS ?通態電流 1200A ?壓降 小于1V ?浪涌電流 大于20kA ?反向恢復時間 小于2μS ?工作溫度 室溫~40℃ ?工作濕度 <70%
