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              發布時間:2021-09-11 11:21  

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              。●初級與次級主繞組必須是近相鄰的繞組,這樣耦合會更有利。●開關電源在MOSFET-D端點工作時候產生的干擾是(也是RCD吸收端與變壓器相連的端點),在變壓器繞制時建議將他繞在變壓器的個繞組,并作為起點端,讓他藏在變壓器里層,這樣后面繞組銅線的屏蔽是有較好抑制干擾效果的。●VCC繞組在計算其圈數時盡量的在IC工作電壓乘以1.1倍作為誤差值,不用考慮銅線的壓降,因為啟動前電流是非常小的,所以這個電阻并沒有多少影響,幾乎可以忽略不計。




              .●反饋光耦供電用12V供電,且取樣點在后級濾波電感前面更好。因為濾波電感前的波動更快的反映前端PWM的調制狀態,就算TL431的開啟程度是一定的,因為12V的波動可以讓光耦上反饋到的電流有微小的差異,在反饋環路一定的情況下,這個光耦供電取樣點的選擇更有利于動態響應和調整率的平衡控制。。●12V繞組應該放在更接近于初級繞組的地方。這樣更有效的確保12V的電壓變化比例更小,因為我們反饋采樣的是5V端,所以難控制的是12V的繞組。綜合這些將可以更好的控制這兩個繞組的平衡度。雖然不能做到的好,但是相對的來說是有一定參考價值的。




              41.一個冷知識,如何測量PCB的銅箔厚度? 方法:在PCB板上找一條光滑且長的線條,測量其長度L,再測寬度W,再用DC源加1A電流在其兩端測得壓降U 依據電阻率公式得出以下公式: 例:取一段PCB銅箔,長度L為40mm,寬度為10mm,其通過1A電流兩端壓降為0.005V,求該段銅箔厚度為多少um? 42.一款36W適配器的EMI整改案例,輸出12V/3A,多圖對比,整改花費時間3周。 變壓器繞法一:Np1→VCC→Ns1→Ns2→銅屏蔽0.9Ts→NpPCB關鍵布局:Y電容地→大電容地,變壓器地→Vcc電容→大電容地注:變壓器所有出線沒有交叉圖一(115Vac) 圖一所示可以看到,130-200M處情況并不樂觀;130-200M主要原因在于PCB布局問題和二次側的肖特基回路,改其它地方作用不大,肖特基套磁珠可以完全壓下來,圖忘記保存了。


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