電子金屬表面處理廠家推薦廠家

國(guó)內(nèi)開(kāi)展對(duì)金屬表面處理的研究和使用將是非常重要的。Cu基復(fù)合材料純銅具有較低的退火點(diǎn)，它制成的底座出現(xiàn)軟化可以導(dǎo)致芯片和／或基板開(kāi)裂。為了提高銅的退火點(diǎn)，可以在銅中加入少量Al2O3、鋯、銀、硅。這些物質(zhì)可以使無(wú)氧高導(dǎo)銅的退火點(diǎn)從320℃升高到400℃，而熱導(dǎo)率和電導(dǎo)率損失不大。國(guó)內(nèi)外已廣泛生產(chǎn)并用在大功率微波管、大功率激光二極管和一些大功率集成電路模塊上。由于Cu-Mo和Cu-W之間不相溶或浸潤(rùn)性極差，況且二者的熔點(diǎn)相差很大，給材料制備帶來(lái)了一些問(wèn)題；新材料和除了Cu/W和Cu/鉬等金屬的包裝應(yīng)用中，傳統(tǒng)的包裝材料是單一金屬或金屬合金，它們具有一些不足之處，它是難以應(yīng)付現(xiàn)代包裝的發(fā)展。如果制備的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，則氣密性得不到保證，影響封裝性能。另一個(gè)缺點(diǎn)是由于W的百分含量高而導(dǎo)致Cu／W密度太大，增加了封裝重量。

金屬表面處理因而用碳纖維(石墨纖維)增強(qiáng)的銅基復(fù)合材料在高功率密度應(yīng)用領(lǐng)域很有吸引力。與銅復(fù)合的材料沿碳纖維長(zhǎng)度方向CTE為-0．5×10-6K-1，熱導(dǎo)率600-750W(m-1K-1)，而垂直于碳纖維長(zhǎng)度方向的CTE為8×10-6K-1,熱導(dǎo)率為51-59W(m-1K-1)，比沿纖維長(zhǎng)度方向的熱導(dǎo)率至少低一個(gè)數(shù)量級(jí)。用作封裝的底座或散熱片時(shí)，這種復(fù)合材料把熱量帶到下一級(jí)時(shí)，并不十分有效，但是在散熱方面是極為有效的。這與纖維本身的各向異性有關(guān)，纖維取向以及纖維體積分?jǐn)?shù)都會(huì)影響復(fù)合材料的性能。為了減少陶瓷基板上的應(yīng)力，設(shè)計(jì)者可以用幾個(gè)較小的基板來(lái)代替單一的大基板，分開(kāi)布線。退火的純銅由于機(jī)械性能差，很少使用。加工硬化的純銅雖然有較高的屈服強(qiáng)度，但在外殼制造或密封時(shí)不高的溫度就會(huì)使它退火軟化，在進(jìn)行機(jī)械沖擊或恒定加速度試驗(yàn)時(shí)造成外殼底部變形。許多密度低的金屬基復(fù)合材料特別適合航空公司、航空航天主要用途。

 金屬表面處理編程囊括了加工的工序設(shè)定、刀具選擇，轉(zhuǎn)速設(shè)定，刀具每次進(jìn)給的距離等等。此外，不同產(chǎn)品的裝夾方式不同，在加工前要設(shè)計(jì)好夾具，部分結(jié)構(gòu)復(fù)雜產(chǎn)品需要做專(zhuān)門(mén)的夾具 Cu／W和Cu／Mo為了降低Cu的CTE，可以將銅與CTE數(shù)值較小的物質(zhì)如Mo、W等復(fù)合，得到Cu／W及Cu／Mo金屬-金屬?gòu)?fù)合材料。這些材料具有高的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能，同時(shí)融合W、Mo的低CTE、高硬度特性。Cu／W及Cu／Mo的CTE可以根據(jù)組元相對(duì)含量的變化進(jìn)行調(diào)整，可以用作封裝底座、熱沉，還可以用作散熱片。此外，為解決封裝的散熱問(wèn)題，各類(lèi)封裝也大多使用金屬作為熱沉和散熱片。本文主要介紹在金屬封裝中使用和正在開(kāi)發(fā)的金屬材料，這些材料不僅包括金屬封裝的殼體或底座、引線使用的金屬材料，也包括可用于各種封裝的基板、熱沉和散熱片的金屬材料。世界各國(guó)常有Al2O3彌散加強(qiáng)無(wú)氧運(yùn)動(dòng)高導(dǎo)銅商品，如美國(guó)SCM金屬制造公司的Glidcop帶有99．7％的銅和0．3％彌散遍布的Al2O3。

金屬表面處理的殼體或底座、引線使用的金屬材料，也包括可用于各種封裝的基板、熱沉和散熱片的金屬材料，為適應(yīng)電子封裝發(fā)展的要求，國(guó)內(nèi)開(kāi)展對(duì)金屬基復(fù)合材料的研究和使用將是非常重要的。材料工作者在這些材料基礎(chǔ)上研究和開(kāi)發(fā)了很多種金屬基復(fù)合材料(MMC)，它們是以金屬(如Mg、Al、Cu、Ti)或金屬間化合物(如TiAl、NiAl)為基體，以顆粒、晶須、短纖維或連續(xù)纖維為增強(qiáng)體的一種復(fù)合材料。非常好的導(dǎo)熱性，提供熱耗散；③非常好的導(dǎo)電性，減少傳輸延遲；④良好的EMI／RFI屏蔽能力； ⑤較低的密度，足夠的強(qiáng)度和硬度，良好的加工或成形性能；⑥可鍍覆性、可焊性和耐蝕性，以實(shí)現(xiàn)與芯片、蓋板、印制板的可靠結(jié)合、密封和環(huán)境的保護(hù)；它的導(dǎo)熱系數(shù)為401W(m-1K-1)，從熱傳導(dǎo)的角度觀察，做為封裝罩殼是十分理想化的，能夠應(yīng)用在必須高燒導(dǎo)和／或高電導(dǎo)的封裝里，殊不知，它的CTE達(dá)到16．5×10-6K-1，能夠在剛度粘合的陶瓷基板上導(dǎo)致挺大的焊接應(yīng)力。⑦較低的成本。傳統(tǒng)金屬封裝材料包括Al、Cu、Mo、W、鋼、可伐合金以及Cu／W和Cu／Mo等