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ASEMI肖特基二極管新品介紹——

SBD的主要優點包括兩個方面:

1)由于肖特基勢壘高度低于PN結勢壘高度，故其正向導通門限電壓和正向壓降都比PN結二極管低(約低0.2V)。

2)由于SBD是一種多數載流子導電器件，不存在少數載流子壽命和反向恢復問題。SBD的反向恢復時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間，完全不同于PN結二極管的反向恢復時間。由于SBD的反向恢復電荷非常少，故開關速度非常快，開關損耗也特別小，尤其適合于高頻應用。

ASEMI高壓SBD

長期以來，在輸出12V~24V的SMPS中，次級邊的高頻整流器只有選用100V的SBD或200V的FRED。在輸出24V~48V的SMPS中，只有選用200V~400V的FRED。設計者迫切需要介于100V~200V之間的150VSBD和用于48V輸出SMPS用的200VSBD。近兩年來，美國IR公司和APT公司以及ST公司瞄準高壓SBD的巨大商機，先后開發出150V和200V的SBD。這種高壓SBD比原低壓SBD在結構上增加了PN結工藝，形成肖特基勢壘與PN結相結合的混合結構

要問肖特基二極管與快恢復二極管的差別，以及為什么采購生產等都喜歡使用肖特基二極管的原因，那就是頻率的高低不同，直接影響到應用當中的能源耗損，像ASEMI的肖特基二極管，其反向恢復時間已能縮短到5ns以內。但它的反向耐壓值較低，一般不超過去時100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點，能提高低壓、大電流整流（或續流）電路的效率 。

MURF1060CT 強元芯ASEMI核芯動力 快恢復實力彰顯！

采用了臺灣健鼎的一體化測試設備，減少人工操作環節，同時檢測Vb、Io、If、Vf、Ir等12個參數經過6道檢測。更是打破業界測試標準，將漏電流有5uA加嚴到2uA以內；正向壓降Vf由1.0V加嚴到0.98V即單顆管芯VF控制在0.49V以內。其采用俄羅斯進口晶圓Mikron米克朗芯片，具有高抗沖擊能力，電性能穩定，可信賴度佳。