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              發布時間:2020-08-14 17:09  

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              真空鍍膜之多弧離子鍍 :

              部分離子對陰極的轟擊又使陰極斑點局部快速蒸發并在空間迅速離化,使這些陰極弧斑點變成微小蒸發源,這些微小蒸發源在磁場和屏蔽絕緣的作用下束縛在陰極靶面做無規則運動,從而形成大面積均勻的蒸發源,噴發出電子、離子、熔融的金屬材料和原子。6)當原子數超過某一臨界值時就變為穩定核,再不斷吸附其他擴散原子而逐步長大,最后與鄰近穩定核合并進而變成連續膜。大部分是離子和熔融粒子,在偏壓作用下,離子流在基體上凝聚成金屬、合金或化合物薄膜。


              鍍膜工藝流程中工藝參數的控制和對膜層沉積的影響:

              金屬過渡層:過渡層能有效的減小膜-基或不同鍍層間因材料熱膨脹系數等物理性能不同而形成的應力,提高結合力,但是金屬過渡層太厚容易引起基體軟化,結合力反而會變差。

              本底漏率:本底漏率是指真空室在未加入氣體單位之前本身的單位漏率,漏率越大,進入爐內的雜氣就越多,不管真空度多高,這會嚴重影響鍍膜過程中爐內氣氛的純度和工件表面的潔凈度,會破壞膜層的結合力和膜層顏色的純度。

              PLD缺點:1、在鍍膜過程中,薄膜會被沉積在薄膜上的等離子本管中產生的微粒、氣態原子和分子降低質量,采取一定的措施后也

              不能完全消除.2、在控制摻雜、生長平滑的多層膜等方面PLD生長部比較困難,因此進一步提高薄膜的質量會比較困難.


              有機鍍膜與無機鍍膜的根本區別


              目前市場上被稱作玻璃系鍍膜或石英結晶鍍膜的產品幾乎都是以含j基的硅氧烷樹脂(methylsiloxane)為主要成分的鍍膜,鍍膜硬化后(有些鍍膜甚至無法達到完全硬化),成份中含有大量j基團(CH3),實質為有機硅樹脂。鍍膜工藝流程中工藝參數的控制和對膜層沉積的影響:輝光清洗:對工件施加負偏壓,產生輝光放電,利用ya離子轟擊工件表面,這種輝光放電清洗作用比較柔和,一般采取由弱到強的轟擊清洗順序,是怕工件太臟時一開始就強轟擊,可能產生強烈的打火而損傷工件。這種鍍膜劑在使用中,j基團會被紫外線分解,附著在上面的硅元素也隨之脫落。這類鍍膜劑所標稱的耐久性也僅相當于樹脂涂層的耐久性,根本無法與不會學化的純無機糖瞄相捏并論。



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