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發布時間：2021-09-01 15:14
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ASEMI解析肖特基勢壘二極管工作原理：
隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。
快恢復二極管與肖特基二極管又有什么不同呢？相比之下，ASEMI肖特基二極管又會有什么樣的優勢呢？
首先，我們來看一下一般的快恢復二極管。UFRD的反向恢復時間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬開關為100kHz的SMPS，由于UFRD的導通損耗和開關損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發展趨勢。
Schottky Barrier Diode:肖特基勢壘二極管，簡稱：SB,比如：SB107,SB1045CT……
Schottky Barrier Diode:也有簡寫為：SBD來命名產品型號前綴的。但SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。
因此，SBD也稱為金屬-半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
3、常用的肖特基二極管
常用的有引線式肖特基二極管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200 等型號。也就是常說的插件封裝。
常用表面貼封裝肖特基二極管。貼片肖特基二極管為何命名為"SS"?
SCHOTTKY:取首字母"S",
SMD:Surface Mounted Devices 的縮寫，意為：表面貼裝器件，取首字母"S",
上面兩個詞組各取首字母、即為 SS,
電流的肖特基是BAT42（0.2A）；BAT54、BAT54A、BAT54C（0.3A）；
電流的肖特基是440A,如：440CMQ030、444CNQ045;超過440A 的必定是模塊。
肖特基的電壓是 200V,也就是說，肖特基的極限電壓是200V.超過200V 電壓的也必定是模塊。
電流越大，電壓越低。與可控硅元件不一樣。電流與電壓成反比（模塊除外）。
10A、20A、30A 規格的有做到200V 電壓。除此外，都沒有200V 電壓規格。
