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發布時間:2020-11-29 11:24  
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對于硅和二氧化硅體系,采用CF4-O2反應離子刻蝕時,通過調節兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。四氟化碳的熱穩定性更好。化合物的熱穩定性主要與化學鍵的鍵能及鍵長有關。零下198 °C時,四氟化碳具有單斜的結構,晶格常數為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源,用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。
四氟化碳也一樣,比如我們公司生產的鋼瓶裝四氟化碳在14MPA的氣壓下也是液態的,在正常大氣壓下就是氣態的,四氟化碳是有一定毒性的應該不能用作呼吸。反應放熱后,氟開始和碳化硅進行反應,通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣,使反應繼續進行,生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化。吸入四氟化碳的后果與濃度有關,包括頭1痛、惡心、頭昏眼花及心血1管系統的破壞(主要是心臟)。長時間接觸會導致嚴重的心臟破壞。
四氟化碳是一種造成溫室效應的氣體。它非常穩定,可以長時間停留在大氣層中,是一種非常強大的溫室氣體。因為四氟化碳和四氟化1硅都是共價化合物,然而碳氟鍵的鍵能遠遠大于硅氟鍵的鍵能,鍵長也是前者短得多,所以四氟化碳的熱穩定性更好。將其通過裝有氫1氧化鈉溶液的洗氣瓶除去四氟化1硅,隨后通過硅膠和五1氧化二磷干燥塔得到終產品。由于化學穩定性極強,CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業等。