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發布時間：2021-08-25 22:21
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IGBT模塊在使用時的損壞原因
IGBT在使用過程中經常受到容性或感性負載的沖擊，承受過負荷甚至負載短路等，可能導致IGBT損壞。IGBT模塊在使用時的損壞原因主要有以下情況——過電壓損壞和靜電損壞
IGBT在關斷時，由于逆變電路中存在電感成分，關斷瞬間產生尖峰電壓，如果尖峰電壓超過IGBT器件的1高峰值電壓，將造成IGBT擊穿損壞。IGBT過電壓損壞可分為集電極-柵極過電壓、柵極-發射極過電壓、高du/dt過壓電等。大多數過電壓保護的電路設計都比較完善，但是對于由高du/dt所導致的過電壓故障，基本上都是采用無感電容或者RCD結構吸收電路。由于吸收電路設計的吸收容量不夠而造成IGBT損壞，對此可采用電壓鉗位，往往在集電極-柵極兩端并接齊納二極管，采用柵極電壓動態控制，當集電極電壓瞬間超過齊納二極管的鉗位電壓時，超出的電壓將疊加在柵極上（米勒效應起作用），避免了IGBT因受集電極發射極過電壓而損壞。冷卻：更換雜質、離子過濾芯，更換蒸餾水，檢測漏水，水的電導率。
采用柵極電壓動態控制可以解決過高的du/dt帶來的集電極發射極瞬間過電壓問題，但是它的弊端是當IGBT處于感性負載運行時，半橋結構中處于關斷的IGBT，由于其反并聯二極管（續流二極管）的恢復，其集電極-發射極兩端的電壓急劇上升，從而承受瞬間很高的du/dt。多數情況下，該du/dt值要比IGBT正常關斷時的集電極-發射極電壓上升率高，由于米勒電容( Cres)的存在，該du/dt值將在集電極和柵極之間產生一個瞬間電流，流向柵極驅動電路。該電流與柵極電路的阻抗相互作用，直接導致柵極-發射極電壓UGE值的升高，甚至超過IGBT的開通門限電壓UGE(th)值。出現惡劣的情況就是使IGBT被誤觸發導通，導致變換器的橋臂短路。本公司自成立以來已經和全國各地多家醫療機構、設備代理商以及維修商展開合作。
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設備名稱：科醫人鈥激光設備
故障現象：設備在使用過程中，無法使用大功率。
檢測結果：經我方工程師現場勘察排查確定是鏡片損壞。
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