肖特基二極管參數(shù)免費(fèi)咨詢 強(qiáng)元芯電子有限公司

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肖特基二極管是以其發(fā)明人華特?肖特基博士（Walter Hermann Schottky，1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管。

從誕生之初，肖特基二極管就注定了其不平凡的一生，從低頻到高頻，從高損耗到低損耗，肖特基二極管在其發(fā)展上走出了一步一步的不平凡！ASEMI在21世紀(jì)延續(xù)了這個(gè)不平凡，將高頻率低耗損環(huán)保節(jié)能的產(chǎn)品引入并發(fā)展！

在金屬內(nèi)部和半導(dǎo)體導(dǎo)帶相對(duì)應(yīng)的分能級(jí)上，電子密度小于半導(dǎo)體導(dǎo)帶的電子密度。因此，在二者接觸后，電子會(huì)從半導(dǎo)體向金屬擴(kuò)散，從而使金屬帶上負(fù)電荷，半導(dǎo)體帶正電荷。由于金屬是理想的導(dǎo)體，負(fù)電荷只分布在表面為原子大小的一個(gè)薄層之內(nèi)。而對(duì)于N型半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，失去電子的施主雜質(zhì)原子成為正離子，則分布在較大的厚度之中。

SBD的正向壓降和反向漏電流直接影響SBD整流器的功率損耗，關(guān)系到系統(tǒng)效率。低正向壓降要求有低的肖特基勢(shì)壘高度，而較高的反向擊穿電壓要求有盡可能高的勢(shì)壘高度，這是相矛盾的。因此，對(duì)勢(shì)壘金屬必須折衷考慮，故對(duì)其選擇顯得十分重要。對(duì)N型SiC來(lái)說(shuō)，Ni和Ti是比較理想的肖特基勢(shì)壘金屬。由于Ni/SiC的勢(shì)壘高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏電流，而后者的正向壓降較小。