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發布時間:2021-08-06 19:30  
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LED大功率芯片一般指多大面積的芯片?
用于白光的LED大功率芯片一般在市場上可以看到的都在40mil左右,所謂的大功率芯片的使用功率一般是指電功率在1W以上。
由于量i子效率一般小于20%大部分電能會轉換成熱能,所以大功率芯片的散熱很重要,要求芯片有較大的面積。
制造GaN外延材料的芯片工藝和加工設備與GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的要求?為什么?
普通的LED紅黃芯片和高亮四元紅黃芯片的基板都采用GaP、GaAs等化合物半導體材料,一般都可以做成N型襯底。
采用濕法工藝進行光刻,較為后用金剛砂輪刀片切割成芯片。
GaN材料的藍綠芯片是用的藍寶石襯底,由于藍寶石襯底是絕緣的,所以不能作為LED的一個極,必須通過干法刻蝕的工藝在外延面上同時制作P/N兩個電極并且還要通過一些鈍化工藝。由于藍寶石很硬,用金剛砂輪刀片很難劃成芯片。
它的工藝過程一般要比GaP、GaAs材料的LED多而復雜。
用于半導體照明的芯片技術的發展主流是什么?
隨著半導體LED技術的發展,其在照明領域的應用也越來越多,特別是白光LED的出現,更是成為半導體照明的熱點。
但是關鍵的芯片、封裝技術還有待提高,在芯片方面要朝大功率、高光效和降低熱阻方面發展。
提高功率意味著芯片的使用電流加大,較為直接的辦法是加大芯片尺寸,現在普遍出現的大功率芯片都在1mm×1mm左右,使用電流在350mA.由于使用電流的加大,散熱問題成為突出問題,現在通過芯片倒裝的方法基本解決了這一文題。
隨著LED技術的發展,其在照明領域的應用會面臨一個從未有的機遇和挑戰。

外延片與晶圓的關系
分子束外延法屬于物理氣相沉積PVD里的真空蒸發法的一種,廣泛用于制造各種光集成器件和各種超晶格結構薄膜。
芯片制造全部工藝的成品叫做晶圓wafer,前道工藝流程中的一個環節是薄膜沉積,也就是真空鍍膜,分子束外延就是薄膜沉積的一種方法,在裸硅片(或者其他襯底)上利用分子束外延法鍍上多層薄膜,形成該芯片所需要的結構,用分子束外延法制作出來的已經完成鍍膜的半成品就是外延片,外延片再經過光刻、刻蝕、清洗、離子注入等工藝環節,再經過打線、Bonder、FCB、BGA植球、檢測等后道工藝形成的成品就是晶圓wafer。

企業如何應對LED電子顯示屏市場競爭激烈
目前LED電子顯示屏企業主要以節能環保等優勢如雨后春筍般的生長,甚至到了泛濫的程度。而且深圳LED顯示屏市場狀況競爭加劇,中產品市場份額大部分被國外企業占有。面對激烈的市場競爭,深圳LED顯示屏廠家可以考慮從以下七個方面入手面對挑戰: 1.我國LED顯示屏應當抓住產品智能化、數碼化、全自動化、節能及綠色環保方向進行發展。
2.加強產品宣傳的力度,加強展會、媒體的展示及宣傳工作。
3.注重品牌戰略、精品戰略。清醒的認識企業在整個產業鏈上的地位,集中資源,做自己有優勢的產品。
4.針對市場營銷策略不同的產品,采用不同的營銷方式和策略。
5.足夠的認識和把握產品的目標市場。因為目標市場不明確,會導致企業的生產規劃混亂,研發方向迷失,從而難以獲得足夠的發展空間。
6.明確可實現的經營目標。結合企業的短期和長期發展戰略,分別設置符合實際的經營目標。
7.研發新產品技術與提高知識產權保護意識,在研發上有所突破。對于加工型的企業而言,生產工藝、產品外觀設計、實用型發明、節能環保設計、工程實現等相關綜合配套軟硬件實現等方面,還有大量的空間可供發展。
目前我國不僅要做LED電子顯示屏生產大國,還要成為LED顯示屏的生產強國,加大對技術、產品創新和工藝革新方面的投入是提高我們LED顯示屏質量的關鍵。提高保護意識。
