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發(fā)布時間:2020-12-18 19:31  
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因 為突沿容易撕裂下來﹐在導線的兩點之間形成電的拆接。 影響側蝕的因素有很多﹐下面將概述幾點﹕ 蝕刻方式﹕ 浸泡和鼓泡式蝕刻會造成較大的側蝕﹐潑濺和噴淋式蝕刻的側蝕較小﹐尤以噴淋蝕 刻的效果很好。鉻酐在電鍍鉻溶液中不僅起到穩(wěn)定鍍液的作用,而且對ph也有一定的緩沖作用,從而使得鍍層厚度可持續(xù)增加。 蝕刻液的種類﹕ 不同的蝕刻液, 其化學組分不相同﹐蝕刻速率就不一樣﹐蝕刻系數(shù)也不一樣。 例如﹕酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常為 3﹐而堿性氯化銅蝕刻系數(shù)可達到 4。 蝕刻速率﹕ 蝕刻速率慢會造成嚴重側蝕。 提高蝕刻質量與加快蝕刻速率有很大的關系, 蝕刻速 度越快, 基板在蝕刻中停留的時間越短﹐側蝕量將越小﹐蝕刻出的圖形會更清晰整 齊。條寬損失 (Etch bias) 過蝕刻 (Over etch) – 在平均膜厚完全蝕刻掉以后的額外蝕刻。補償蝕刻速率和膜厚的不均勻 性。將酸液稀釋用吸量管吸取10ml酸液,放入100ml容量瓶中,然后加入純水至刻度處,蓋好玻璃塞,搖勻備用。 殘留物 (Residues) – 在蝕刻和平版印刷過程中無意留下的物質。 微掩膜(Micro-masking)-- 由于微粒,薄膜摻雜以及殘留物產(chǎn)生的無意留下的掩膜。 糊膠(Resist reticulation)-- 溫度超過 150 攝氏度時光刻膠產(chǎn)生的燃燒和折皺。 縱橫比(Aspect ratio)-- 器件結構橫截面深度和寬度的比率。
負載(Loading)-- 蝕刻速率依賴于可蝕刻表面數(shù)量,可在宏觀或微觀尺寸下。 縱橫比決定蝕刻(Aspect Ratio Dependent Etching/ARDE)--蝕刻速率決定于縱橫比。但除了某些設備和工具比以前先進了之外,所有工藝大都沒有以前正規(guī)的標牌廠那樣嚴格正規(guī),很多人只想打破由正規(guī)渠道學技術的模式,使得粗制濫造的現(xiàn)象很普遍。 終點(Endpoint)-- 在一個蝕刻過程中,平均膜厚被蝕刻干凈時的時間點。 光刻膠(Photo-resist)-- 作為掩膜用來圖形轉移的光敏材料。 分辨率(Resolution)-- 用于測試光學系統(tǒng)把相鄰的目標形成分離圖像的能力。 焦深 (Depth of focus) – 在焦平面上目標能形成影像的縱向距。 關鍵尺寸(Critical dimensi-CD)-- 一個特征圖形的尺寸,包括線寬、間隙、或者 關聯(lián)尺寸。