化拋劑價(jià)格性價(jià)比出眾「昆山韓鋁」

電化學(xué)拋光原理電化學(xué)拋光也稱電解拋光。電解拋光是以被拋工件為陽(yáng)極，不溶性金屬為陰極，兩極同時(shí)浸入到電解槽中，通以直流電而產(chǎn)生有選擇性的陽(yáng)極溶解，從而使工件表面光亮度增大，達(dá)到鏡面效果。

工藝流程化學(xué)(或電化學(xué))除油→熱水洗→流動(dòng)水洗→除銹(10%硫酸)→流動(dòng)水洗→化學(xué)拋光→流動(dòng)水洗→中和→流動(dòng)水洗→轉(zhuǎn)入下道表面處理工序工作環(huán)境：傳統(tǒng)拋光工藝工作環(huán)境惡劣，拋光過(guò)程中產(chǎn)生沙粒，鐵屑，粉塵等，嚴(yán)重污染環(huán)境；.加工效率：人工拋光；豪克能工藝屬于以車代磨，線速度可達(dá)50-80 m/min,進(jìn)給量可達(dá)0.2-0.5mm/r,相當(dāng)于半精車的效率。鋪料消耗：拋光需要消耗拋光輪、磨料、砂帶等輔料；適應(yīng)性：拋光可以加工平面等簡(jiǎn)單的型面，對(duì)于曲面無(wú)法加工。如果加工R弧，曲面等復(fù)雜型面，可采用豪克能拋光工藝。

1、本拋光液在其使用初期會(huì)產(chǎn)生泡沫，因此拋光液液面與拋光槽頂部之間的距離不應(yīng)≥15cm；2、 不銹鋼工件在進(jìn)入拋光槽之前應(yīng)盡可能將殘留在工件表面的水分除去，因工件夾帶過(guò)多水分有可能造成拋光面出現(xiàn)麻點(diǎn)，局部浸蝕而導(dǎo)致工件報(bào)廢；3、在電解拋光過(guò)程中，作為陽(yáng)極的不銹鋼配件，因其所含的鐵、鉻元素不斷轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘匐x子溶入拋光液內(nèi)而不在陰極表面沉積。隨著化學(xué)反應(yīng)的進(jìn)行，金屬離子濃度會(huì)不斷增加，當(dāng)達(dá)到一定濃度后，這些金屬離子以磷酸鹽和硫酸鹽形式從拋光液內(nèi)沉淀析出，沉降于拋光槽底部。因此拋光液必須定期過(guò)濾，去除這些固體沉淀物；4、在拋光槽反應(yīng)過(guò)程中，除磷酸、硫酸不斷消耗外，水分因蒸發(fā)和電解而損失，此外，高粘度拋光液不斷被工件夾帶損失，拋光液液面不斷下降，需經(jīng)常往拋光槽補(bǔ)加拋光液和水；5、本產(chǎn)品中和后排放符合當(dāng)今環(huán)保要求

半導(dǎo)體行業(yè)CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對(duì)基體材料硅晶片的拋光。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的急速發(fā)展，對(duì)拋光技術(shù)提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術(shù)（如：基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術(shù)，不能做到全局平面化，而化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)解決了這個(gè)問(wèn)題，它是可以在整個(gè)硅圓晶片上平坦化的工藝技術(shù)。