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發(fā)布時間：2020-11-14 04:42
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光刻膠市場
我國光刻膠市場規(guī)模2015年已達51.7億元，同比增長11%，高于國際市場增速，但全球占比仍不足15%，發(fā)展空間巨大。2015年我國光刻膠產(chǎn)量為9.75萬噸，而需求量為10.12萬噸，依照需求量及產(chǎn)量增速預(yù)計，未來仍將保持供不應(yīng)求的局面。光刻膠的應(yīng)用1975年，美國的國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會首先為微電子工業(yè)配套的超凈高純化學(xué)品制定了國際統(tǒng)一標準——SEMI標準。據(jù)智研咨詢估計，得益于我國平面顯示和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，我國光刻膠市場需求，在2022年可能突破27.2萬噸。在光刻膠生產(chǎn)種類上，我國光刻膠廠商主要生產(chǎn)PCB光刻膠，而LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠生產(chǎn)規(guī)模較小，相關(guān)光刻膠主要依賴進口。放眼國際市場，光刻膠也主要被美國Futurrex 的光刻膠、日本合成橡膠（JSR）、東京應(yīng)化（TOK）、住友化學(xué)、美國杜邦、德國巴斯夫等化工寡頭壟斷。
光刻工藝重要性二
光刻膠的曝光波長由寬譜紫外向g線→i線→KrF→ArF→EUV(13.5nm)的方向移動。隨著曝光波長的縮短，光刻膠所能達到的極限分辨率不斷提高，光刻得到的線路圖案精密度更佳，而對應(yīng)的光刻膠的價格也更高。
光刻光路的設(shè)計，有利于進一步提升數(shù)值孔徑，隨著技術(shù)的發(fā)展，數(shù)值孔徑由0.35發(fā)展到大于1。相關(guān)技術(shù)的發(fā)展也對光刻膠及其配套產(chǎn)品的性能要求變得愈發(fā)嚴格。
工藝系數(shù)從0.8變到0.4，其數(shù)值與光刻膠的產(chǎn)品質(zhì)量有關(guān)。結(jié)合雙掩膜和雙刻蝕等技術(shù)，現(xiàn)有光刻技術(shù)使得我們能夠用193nm的激光完成10nm工藝的光刻。
為了實現(xiàn)7nm、5nm制程，傳統(tǒng)光刻技術(shù)遇到瓶頸，EUV(13.5nm)光刻技術(shù)呼之欲出，臺積電、三星也在相關(guān)領(lǐng)域進行布局。EUV光刻光路基于反射設(shè)計，不同于上一代的折射，其所需光刻膠主要以無機光刻膠為主，如金屬氧化物光刻膠。
芯片光刻的流程詳解（二）
所謂光刻，根據(jù)維基百科的定義，這是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。放眼國際市場，光刻膠也主要被美國Futurrex的光刻膠、日本合成橡膠（JSR）、東京應(yīng)化（TOK）、住友化學(xué)、美國杜邦、德國巴斯夫等化工寡頭壟斷。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質(zhì)層，例如玻璃、SOS中的藍寶石。
光刻的基本原理是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感光后因光化學(xué)反應(yīng)而形成耐蝕性的特點，將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。
?Futurrex
提供先進化學(xué)技術(shù)的多樣化解決方案
成立于1985年,總部設(shè)在美國新澤西州，富蘭克林市,高速成長并超過20年連續(xù)盈利的跨國公司
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基于多樣化的技術(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域：微電子、光電子、LED、太陽能光伏、微機電系統(tǒng)、生物芯片、微流體、平面印刷
解決方案：的光刻膠、摻雜涂層、平坦化涂層、旋制氧化硅(spin-onglase)。阻擋層(Barrior Layere)、濕法制程
客戶：從財富100強到以風(fēng)險投資為背景的設(shè)備研發(fā)及制造公司
使命
目標
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策略
提供獨特的產(chǎn)品來優(yōu)化生產(chǎn)制程，以提高設(shè)備能效
領(lǐng)的技術(shù)提升生產(chǎn)過程中的整體性價比
工藝步驟的減少降低了成本和產(chǎn)生瑕疵的可能
增加客戶的產(chǎn)能和生產(chǎn)的效率
工藝減化
非同尋常的顯微構(gòu)造、金屬及介電層上的圖形轉(zhuǎn)換、光刻、平坦化、摻雜、蝕刻、邦定
在生產(chǎn)過程中，不含有害溶劑
支持所有客戶的需要，與客戶共創(chuàng)成功
